[发明专利]半导体封装件的制备方法、半导体封装件及其安装方法在审
| 申请号: | 202210700681.7 | 申请日: | 2022-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN115172181A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
| 发明(设计)人: | 刘恺;王亚琴 | 申请(专利权)人: | 长电科技(宿迁)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/495;H05K3/34 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 孙凤 |
| 地址: | 223800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 制备 方法 及其 安装 | ||
本发明提供一种半导体封装件的制备方法、半导体封装件及安装方法,制备方法包括如下步骤:对引线框架进行预塑封,在每一引线框单元中的管脚与基岛之间以及相邻管脚之间形成预塑封体;自外管脚的正面减薄所述外管脚,形成凹槽;在所述凹槽内成型锡块;在基岛上贴装芯片,并在芯片与内管脚之间打线;对已经完成打线的引线框架进行塑封;塑封后,在引线框架背面的裸露区形成镀锡层,形成半成品;切割半成品形成单颗的半导体封装件,所述半导体封装件中的锡块远离所述基岛的一侧向外暴露;能够在凹槽内填充较多的锡膏量,锡块熔化后有足够量的锡膏能实现管脚从正面到侧面再到背面的全方位焊接,提升电路的可靠性,有效提升AOI侦测稳定性和通过率。
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,尤其涉及一种半导体封装件的制备方法、半导体封装件以及该半导体封装件的安装方法。
背景
如图1所示,传统的无引脚封装中,基岛12’以及管脚11’的背面裸露出塑封体4’的部分在电镀制程中可被电镀锡形成镀锡层5’。在经过切割制程形成单颗的半导体封装件20’后,管脚11’的切断面暴露出塑封体4’且为裸铜面。在将所述半导体封装件20’焊接至电路板30’时,具有镀锡层5’的底部贴装面具有一定的上锡量,而没有镀锡的切断面则几乎没有上锡量,导致管脚周围焊锡量不足,无法满足汽车产品的焊锡要求和AOI侦测标准。
有鉴于此,有必要提供一种新的半导体封装件的制备方法、半导体封装件以及该半导体封装件的安装方法以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体封装件的制备方法、半导体封装件以及该半导体封装件的安装方法。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:一种半导体封装件的制备方法,包括如下步骤:
对引线框架进行预塑封,在每一引线框单元中的管脚与基岛之间以及相邻管脚之间形成预塑封体;
自外管脚的正面减薄所述外管脚,形成凹槽;
在所述凹槽内成型锡块;
在基岛上贴装芯片,并在芯片与内管脚之间打线;
对已经完成打线的引线框架进行塑封;
塑封后,在引线框架背面的裸露区形成镀锡层,形成半成品;
切割所述半成品形成单颗的半导体封装件,所述半导体封装件中的锡块远离所述基岛的一侧向外暴露。
作为本发明进一步改进的技术方案,“在所述凹槽内成型锡块”具体包括如下步骤:在所述凹槽内填充锡膏后进行回流,形成锡块。
作为本发明进一步改进的技术方案,在基岛上贴装芯片为在基岛上通过锡膏贴装芯片;“在所述凹槽内成型锡块”以及“在基岛上贴装芯片”具体为:
在基岛上点锡膏时,在所述凹槽内填充锡膏;
在基岛上装芯片后进行回流,将芯片贴装于基岛上同时在所述凹槽内形成所述锡块。
作为本发明进一步改进的技术方案,“自外管脚的正面减薄所述外管脚,形成凹槽”具体为:自外管脚的正面通过半蚀刻减薄所述外管脚,形成凹槽。
作为本发明进一步改进的技术方案,自外管脚的正面减薄所述外管脚的同时,自管脚连接筋的正面减薄与外管脚相连接的管脚连接筋,形成所述凹槽。
作为本发明进一步改进的技术方案,相邻的两个引线框单元中相对的两个外管脚上的凹槽相连通。
作为本发明进一步改进的技术方案,“切割所述半成品形成单颗的半导体封装件”为:自管脚连接筋所在的位置进行切割所述半成品,形成单颗的半导体封装件。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述凹槽为矩形凹槽或弧形凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





