[发明专利]半导体封装件的制备方法、半导体封装件及其安装方法

权利要求书

1.一种半导体封装件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

对引线框架进行预塑封，在每一引线框单元中的管脚与基岛之间以及相邻管脚之间形成预塑封体；

自外管脚的正面减薄所述外管脚，形成凹槽；

在所述凹槽内成型锡块；

在基岛上贴装芯片，并在芯片与内管脚之间打线；

对已经完成打线的引线框架进行塑封；

塑封后，在引线框架背面的裸露区形成镀锡层，形成半成品；

切割所述半成品形成单颗的半导体封装件，所述半导体封装件中的锡块远离所述基岛的一侧向外暴露。

2.如权利要求1所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于：“在所述凹槽内成型锡块”具体包括如下步骤：在所述凹槽内填充锡膏后进行回流，形成锡块。

3.如权利要求1所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于：在基岛上贴装芯片为在基岛上通过锡膏贴装芯片；“在所述凹槽内成型锡块”以及“在基岛上贴装芯片”具体为：

在基岛上点锡膏时，在所述凹槽内填充锡膏；

在基岛上装芯片后进行回流，将芯片贴装于基岛上同时在所述凹槽内形成所述锡块。

4.如权利要求1所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于：“自外管脚的正面减薄所述外管脚，形成凹槽”具体为：自外管脚的正面通过半蚀刻减薄所述外管脚，形成凹槽。

5.如权利要求1所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于：自外管脚的正面减薄所述外管脚的同时，自管脚连接筋的正面减薄与外管脚相连接的管脚连接筋，形成所述凹槽。

6.如权利要求5所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于：相邻的两个引线框单元中相对的两个外管脚上的凹槽相连通。

7.如权利要求5所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于：“切割所述半成品形成单颗的半导体封装件”为：自管脚连接筋所在的位置进行切割所述半成品，形成单颗的半导体封装件。

8.如权利要求1所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于：所述凹槽为矩形凹槽或弧形凹槽。

9.一种半导体封装件，其特征在于：所述半导体封装件采用权利要求1-8中任意一项所述的半导体封装件的制备方法制备而成。

10.一种半导体封装件，具有引线框单元，所述引线框单元具有基岛、位于所述基岛周侧的管脚，所述管脚包括内管脚、外管脚；其特征在于：所述外管脚的正面低于所述内管脚的正面，所述引线框单元还包括位于所述外管脚正面的锡块，所述锡块远离所述基岛的一侧向外暴露。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于：所述半导体封装件还包括位于所述基岛与所述管脚以及相邻管脚之间的预塑封体，所述外管脚的正面、预塑封体以及所述内管脚共同形成凹槽，所述锡块位于所述凹槽内。

12.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于：所述半导体封装件还包括贴装于基岛上的芯片、连接于所述芯片与所述内管脚之间的焊线、封装所述芯片以及所述焊线的塑封体、形成于所述基岛以及所述管脚的背面的镀锡层。

13.一种半导体封装件的安装方法，其特征在于：包括如下步骤：将权利要求9-12中任意一项所述半导体封装件焊接至电路板上，在焊接的同时，外管脚上的锡块熔化，且熔化的部分锡块于远离基岛的一侧与该管脚背面的镀锡层相连接。