[发明专利]具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备在审
申请号: | 202210698797.1 | 申请日: | 2022-06-20 |
公开(公告)号: | CN115166877A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 严俊;汪金铭;于佩强;胡业新;刘世琴 | 申请(专利权)人: | 江苏日久光电股份有限公司 |
主分类号: | G02B1/16 | 分类号: | G02B1/16 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 朱如松 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 抗静电 ar 薄膜 显示 组件 设备 | ||
本发明公开了具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备,其中AR薄膜,包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层,防反射层为采用溅射形成的,防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层;抗静电涂层的抗静电值为106‑109Ω。本发明通过优化复合结构的防反射层,从而有效改善了薄膜的防反射和高透光率性能,并且防反射层具有良好的成型可控性,均一性好,有利于改善显示性能。
技术领域
本发明是关于电子技术领域,特别是关于一种具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备。
背景技术
近年来,TAC(三醋酸纤维薄膜)和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基材在电子显示屏上的应用越来越广泛和深入。TAC和PET本身的绝缘性能,在接触和摩擦过程中容易产生和聚集静电荷。一定量的静电荷的存在会对TAC和PET的电子产品造成静电冲击,会破坏电子产品性能和引发安全事故,也会因为表面静电出现尘埃吸附。与此同时,电子显示屏表面的高反射会导致用户无法看清屏幕上的内容,严重影响体验,因此我们需要进行减反射处理,实现防反射(Anti-Reflective)的最终目的。
防反射层(AR)的一般可以采用三种方法成膜,包括真空蒸发、湿法涂布和磁控溅射镀膜。其中真空蒸发镀膜的镀膜均匀性差,薄膜涂层的附着力差,重复性差,难以获得结晶结构的薄膜。湿法涂布的平均反射率较高,平均反射率在1%以上,减反射效率低。因此选用磁控溅射来进行镀膜,平均反射率在0.5%左右且均一性好。但是现有方案中磁控溅射镀膜技术不足以兼顾光通过以及使用者视觉感受方面的需求,难以满足智能设备的显示需求。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备,通过优化复合结构的防反射层,从而有效改善了薄膜的防反射和高透光率性能,并且防反射层具有良好的成型可控性,均一性好,有利于改善显示性能。
为实现上述目的,本发明的实施例提供了具备抗静电的AR薄膜,包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层,防反射层为采用溅射形成的,防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层;抗静电涂层的抗静电值为106-109Ω。
在本发明的一个或多个实施方式中,防反射层包括第一五氧化二铌层、第一二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第二二氧化硅层,第一五氧化二铌层与抗静电涂层相邻。
在本发明的一个或多个实施方式中,第一五氧化二铌层厚度为10-20nm。
在本发明的一个或多个实施方式中,第一二氧化硅层厚度为20-35nm。
在本发明的一个或多个实施方式中,第二五氧化二铌层厚度为110-130nm。
在本发明的一个或多个实施方式中,第二二氧化硅层厚度为70-100nm。
在本发明的一个或多个实施方式中,二氧化硅层的折射率为1.42-1.5。
在本发明的一个或多个实施方式中,五氧化二铌层的折射率为2.1-2.5。
在本发明的一个或多个实施方式中,显示组件,包括具有显示界面的显示器以及如前述的AR薄膜,AR薄膜设置于显示界面。显示组件可以为如液晶显示器组件等,此时AR薄膜设置于该液晶显示组件的屏幕表面。
在本发明的一个或多个实施方式中,显示设备,包括安装框架以及如前述的显示组件,显示组件连接到安装框架。
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