[发明专利]具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备在审
| 申请号： | 202210698797.1 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN115166877A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 严俊;汪金铭;于佩强;胡业新;刘世琴 | 申请（专利权）人： | 江苏日久光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/16 | 分类号： | G02B1/16 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 朱如松 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具备 抗静电 ar 薄膜 显示 组件 设备 | ||
1.一种具备抗静电的AR薄膜，包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层，其特征在于，所述防反射层为采用溅射形成的，所述防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层；
所述抗静电涂层的抗静电值为106-109Ω。
2.如权利要求1所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述防反射层包括第一五氧化二铌层、第一二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第二二氧化硅层，所述第一五氧化二铌层与抗静电涂层相邻。
3.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第一五氧化二铌层厚度为10-20nm。
4.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第一二氧化硅层厚度为20-30nm。
5.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第二五氧化二铌层厚度为110-130nm。
6.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第二二氧化硅层厚度为70-100nm。
7.如权利要求1所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述二氧化硅层的折射率为1.42-1.5。
8.如权利要求1所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述五氧化二铌层的折射率为2.1-2.5。
9.显示组件，包括具有显示界面的显示器以及如权利要求1-8任一所述的AR薄膜，所述AR薄膜设置于所述显示界面。
10.显示设备，包括安装框架以及如权利要求9所述的显示组件，所述显示组件连接到所述安装框架。
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