[发明专利]工艺气体引入组件

说明书

本发明公开了一种工艺气体引入组件，包括有真空连接件主体，所述真空连接件主体的上端部分布有进气管道，还包括有真空连接件进源机构，所述真空连接件进源机构的上端部与真空连接件主体的下端部密封固定连接，同时所述真空连接件进源机构的内部与真空连接件主体的内部相通。本发明从根源上解决了因不同源之间的反应，可能造成管道堵塞的问题，同时还可以加快源的传输速率，有助于提高装置整体的工作效率。

技术领域

本发明属于真空半导体技术领域，具体涉及一种工艺气体引入组件。

背景技术

原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法(技术)。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。

沉积反应前驱体物质被沉积材料表面化学吸附的过程一般被称为晶圆反应。晶圆反应一般通过管道连接源，然后通过载气把源沿着管道的路径送入腔体，再由腔体升温让晶圆与源在高温环境下产生反应。但是当两个或多个源同时通过管道进入腔体时，通常会因为没有引导，使得两个源或者多个源在进入腔体前就已经发生反应，且随着时间的推移，反应物会粘附在管道上，从而会造成管道堵塞，严重的还会使得晶圆反应结果受到影响。因此现有社会亟需一种既可以引导反应气体进入反应腔体内，又不会造成管道堵塞、反应污染的工艺气体引入组件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工艺气体引入组件，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种工艺气体引入组件，包括有真空连接件主体，所述真空连接件主体的上端部分布有进气管道，还包括有真空连接件进源机构，所述真空连接件进源机构的上端部与真空连接件主体的下端部密封固定连接，同时所述真空连接件进源机构的内部与真空连接件主体的内部相通。

更进一步地讲，所述真空连接件主体的内部开设有气源传输孔道，所述气源传输孔道贯穿真空连接件主体的底部，并与所述进气管道、真空连接件进源机构相连通。

更进一步地讲，还包括有吹扫管道，所述吹扫管道设置在进气管道的一侧，同时所述吹扫管道的一端通过吹扫传输孔道与真空连接件进源机构的内部相通，所述吹扫传输孔道设置在真空连接件主体的内部。

更进一步地讲，所述进气管道包括有A源进气管道和B源进气管道，所述A源进气管道和B源进气管道分别分布在真空连接件进源机构的上端部两侧，所述A源进气管道和B源进气管道均通过气源传输孔道与真空连接件进源机构的内部相通。

更进一步地讲，所述气源传输孔道包括有A源传输孔道和B源传输孔道，所述A源进气管道通过A源传输孔道与真空连接件进源机构的内部相通，所述B源进气管道通过B源传输孔道与真空连接件进源机构的内部相通。

更进一步地讲，所述真空连接件进源机构包括有真空连接件过渡板和进源管道，所述进源管道焊接在真空连接件过渡板的下端，且所述真空连接件过渡板和进源管道之间相通；

所述A源进气管道和B源进气管道均通过气源传输孔道和真空连接件过渡板与进源管道相通，所述吹扫管道通过吹扫传输孔道与真空连接件过渡板相通。

更进一步地讲，所述真空连接件过渡板上开设有A源通孔、B源通孔和吹扫通孔，所述A源通孔设置在B源通孔的一侧，所述吹扫通孔环形分布在A源通孔和B源通孔的外侧；

所述A源进气管道与A源通孔相通，所述B源进气管道与B源通孔相通，所述吹扫管道与吹扫通孔相通。

更进一步地讲，所述A源通孔和B源通孔的端部均设置有反应源密封环道，所述吹扫通孔的端部设置有吹扫密封环道。

更进一步地讲，所述反应源密封环道内设置有反应源密封圈，所述吹扫密封环道内设置有吹扫密封圈。