[发明专利]一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法

说明书

本发明公开了一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法，其包括：根据SBAR规则表插入初始SBAR骨架；检测任意两个相邻初始SBAR骨架之间的距离，并对距离小于截止距离的两个初始SBAR骨架进行冲突处理得到亚SBAR骨架；对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行生长处理，使所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架生长至期望大小；完成SBAR骨架的设置。与现有技术相比，本发明可以使SBAR的冲突问题解决变得简单，节省了大量的计算资源。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法。

技术背景

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：OpticalProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。然而，在实际生产过程，光刻条件只是对特定光罩图形密度作优化。这些特定光罩图形密度具有最大的景深(Depth of focus,DOF)及对比度(contrast)。在先进制造节点中存在小尺寸的孤立图形，其关键尺寸(CD)可以达到～50纳米。这种图形几乎没有DOF，极易造成坏点。OPC工程师会在其周围添加SBAR，使其局部图形密度接近最优。SBAR的CD足够小，从而不会在晶圆表面曝出；但可以使孤立图形获得足够的DOF。

当前最为常用的SBAR添加法是基于规则的添加，根据目标图形边缘的属性，包括宽度(width)及距离(space)，来决定所添加SBAR的距离及宽度。但实际情况版图图形是二维复杂图形，现有的SBAR添加方法容易产生MRC(Mask Rule Check)冲突，当前解决MRC冲突的手段包括重设尺寸(resizing),合并(merging)，甚至是移除(removing)，这就是所谓的SBAR冲突解决方案(conflict resolution)。因此，当前技术是预先摆放SBAR多边形，再探测是否有MRC冲突。若发现有冲突，则启动SBAR冲突解决方案。这种做法会大量地耗费计算资源。对某些具有对称性的主图形，会产生非对称的SBAR；并影响总体的工艺窗口(processwindow)。

因此，如何设计一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法，能使SBAR冲突解决变得简单，节省计算资源，是业界亟待解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术中，SBAR冲突解决方案会耗费大量计算资源的问题，本发明提出了一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法。

本发明的技术方案为，提出了一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法，包括：根据SBAR规则表插入初始SBAR骨架；

检测任意两个相邻初始SBAR骨架之间的距离，并对距离小于截止距离的两个初始SBAR骨架进行冲突处理得到亚SBAR骨架；