[发明专利]一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法

权利要求书

1.一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，包括：

根据SBAR规则表插入初始SBAR骨架；

检测任意两个相邻初始SBAR骨架之间的距离，并对距离小于截止距离的两个初始SBAR骨架进行冲突处理得到亚SBAR骨架；

对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行生长处理，使所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架生长至期望大小；

完成SBAR骨架的设置；

对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行生长处理，使所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架生长至期望大小，包括：

对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行生长处理，并实时检测生长处理过程中任意两个SBAR骨架之间的距离，对距离达到截止距离的两个SBAR骨架停止生长处理，并对其余的SBAR骨架继续生长至预设大小。

2.根据权利要求1所述的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，对距离小于截止距离的两个初始SBAR骨架进行冲突处理得到亚SBAR骨架，包括：将

距离小于截止距离的两个初始SBAR骨架移除，并在被移除的初始SBAR骨架中心的连线中点处生成一个亚SBAR骨架；

当被移除的两个初始SBAR骨架之间的长度和方向相同时，所述亚SBAR骨架与被移除的两个初始SBAR骨架的长度和方向相同。

3.根据权利要求2所述的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，当被移除的两个初始SBAR骨架的长度不同时，所述亚SBAR骨架的长度为被移除的两个初始SBAR骨架的长度的平均值。

4.根据权利要求1所述的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行生长处理，使所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架生长至期望大小，包括：

对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行横向生长，且

所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架横向生长时向两侧生长的宽度相同，当所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架的宽度达到预设宽度时，完成横向生长处理。

5.根据权利要求4所述的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行生长处理，使所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架生长至期望大小，还包括：

对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行纵向生长，且

所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架纵向生长时向两端生长的长度相同，当所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的SBAR骨架的长度达到预设长度时，完成纵向生长处理。

6.根据权利要求5所述的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架纵向生长时向每一端生长的长度为：L=（L2-L1）/2；

其中，L2为所述预设长度，L1为所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架的初始长度。

7.根据权利要求1所述的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，对生长

过程中距离达到截止距离的两个SBAR骨架，所述期望大小为SBAR骨架停止生长时的大小，对其余的SBAR骨架，所述期望大小为所述预设大小。

8.根据权利要求1所述的亚分辨率散射条生成方法，其特征在于，根据SBAR规则表插入初始SBAR骨架，包括：

根据所述SBAR规则表插入SBAR多边形，对所述SBAR多边形进行缩放处

理，使所述SBAR多边形缩小成5-10纳米的初始SBAR骨架。