[发明专利]一种晶片处理装置在审

专利信息
申请号: 202210687882.8 申请日: 2022-06-17
公开(公告)号: CN115106329A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 郑金龙;周铁军;马金峰;杨小丽 申请(专利权)人: 广东先导微电子科技有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;B08B3/10;B08B11/00;B08B11/02;B08B13/00;B65G47/74;F26B21/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 刘慧丽
地址: 511517 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶片 处理 装置
【说明书】:

发明涉及晶片处理技术领域,公开了一种晶片处理装置,其包括若干清洗槽、烘干槽、转运装置、晶片固定装置以及控制器,晶片固定装置能够批量固定晶片,并通过转运装置将固定有晶片的晶片固定装置转运至清洗槽、烘干槽,快速的完成批量晶片的清洗和烘干处理,有效提升晶片的处理效率,达到流水化作业。

技术领域

本发明涉及晶片处理技术领域,特别是涉及一种晶片处理装置。

背景技术

砷化镓是一种重要的半导体材料,砷化镓可以制成电阻率比硅和锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底和红外探测器等,砷化镓在微波器件、高速数字电路、移动电话、卫星通讯、微波点对点连线和雷达系统等领域得到重要应用,由于砷化镓具有较高的表面活性,导致在砷化镓晶片切割过程中产生的颗粒极易附着在砷化镓晶片表面,制作过程中需要对砷化镓表面进行清洗。

现有的砷化镓衬底清洗方法,一般是先经过酸洗,去除砷化镓衬底表面微粒和金属离子,然后再将砷化镓衬底取出放在另一槽内进行碱洗,去除砷化镓衬底表面颗粒和有机物,然后再经过超纯水进行清洗,去除砷化镓衬底表面残留的离子,由于砷化镓衬底清洗过程步骤多,需要对待清洗的砷化镓衬底在不同的洗槽间多次转移,导致砷化镓衬底清洗缓慢,清洗效率低。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶片处理装置,快速的完成批量晶片在不同处理槽中的处理工作,提高晶片处理效率,实现流水化作业。

为了实现上述目的,本发明提供了一种晶片处理装置,其包括:

至少一个清洗槽,各所述清洗槽具有顶部开口的清洗腔;

烘干槽,所述烘干槽具有顶部开口的烘干腔;

烘干装置,所述烘干装置安装于所述烘干槽内用于烘干晶片;

转运装置,用以将晶片转运至所述清洗槽和所述烘干槽;

晶片固定装置,所述转运装置上安装有至少一个所述晶片固定装置,所述晶片固定装置包括卡塞机构和用于固定晶片的卡塞盒,所述卡塞机构设有若干个用于插接所述卡塞盒的插接槽;以及

控制器,所述控制器与所述转运装置电连接。

优选地,所述卡塞机构为柱状框体,所述卡塞机构上绕其轴线开设有若干所述插接槽,各所述插接槽沿所述卡塞机构的长度方向延伸设置。

优选地,各所述清洗槽包括外缸和套接在所述外缸内部的内缸,所述内缸具有所述清洗腔,所述内缸的底板或侧板上设置有出水口,所述外缸内设有过滤区,所述出水口流出的清洗液经所述过滤区后由泵体抽吸回所述内缸,形成循环水路;

所述泵体与所述控制器电连接。

优选地,所述内缸的上边沿悬挂设置在所述外缸的侧壁顶部,和/或在所述外缸底板上设置支撑件以支撑所述内缸。

优选地,所述烘干装置包括输气管,所述输气管设有进气口和排气口,所述进气口连接外部气源,所述排气口与所述烘干腔连通;

所述进气管上设有进气阀,所述进气阀与所述控制器电连接。

优选地,所述烘干槽开口端活动安装有盖合板,所述盖合板上开设有与所述烘干腔连通的通孔。

优选地,所述转运装置包括平移转运装置、升降转运装置;

所述平移转运装置沿水平方向设置于所述清洗槽和所述烘干槽的上方,并通过第一驱动件驱动所述平移转运装置的水平移动,其中,所述平移转运装置的移动轨迹覆盖所述烘干槽和所有所述清洗槽;

所述升降转运装置沿竖直方向设置于所述清洗槽的上方,所述升降转运装置的上端与所述平移转运装置连接,所述升降转运装置的下端与所述晶片固定装置连接,并通过第二驱动件驱动所述升降转运装置上下移动;

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