[发明专利]环形振荡器补偿电路、CDR控制环路和接收器

说明书

本申请涉及环形振荡器补偿电路、CDR控制环路和接收器，该电路包括：正温电流模组用于连接供电源和基准电流源，输出正温度特性的补偿电流。电流电压转换模组连接正温电流模组，用于将补偿电流转换成正温度特性的补偿电压。稳压器连接电流电压转换模组，用于分别连接供电源和环形振荡器，将无补偿时环形振荡器的供电电压转换为跟随补偿电压变化的环振供电电压并输出至环形振荡器的供电端。工艺检测模组分别连接正温电流模组和电流电压转换模组，用于检测电路的工艺角并根据工艺角对环振供电电压进行工艺补偿；工艺角包括快工艺角或慢工艺角。实现了直接于片内补偿PVT变化对环形振荡器的振荡频率影响。

技术领域

本发明属于接口电路技术领域，涉及一种环形振荡器补偿电路、CDR控制环路和接收器。

背景技术

高速接口电路包括发送器和接收器两个部分，在各种数据传输场景中有着广泛应用。使用片内参考时钟的接收器芯片，其片内时钟电路受PVT(Process，Voltage，Temperature；工艺角、电压和温度)影响较大，通常会有±20％以上的频率偏差。如此大的频率偏差超出了接收器内时钟数据恢复控制环路(Clock Data Recovery，CDR)的工作范围，将导致CDR无法正常工作。为补偿PVT变化对振荡频率的影响，常用的方法是利用片外电阻良好的PVT特性来产生基准电流供片内振荡器使用。然而，在实现本发明的过程中，发明人发现在无法使用上述片外基准电流的实际应用环境中，仍存在着无法直接于片内补偿PVT变化对振荡频率的影响的技术问题。

发明内容

针对上述传统方法中存在的问题，本发明提出了一种环形振荡器补偿电路、一种CDR控制环路以及一种接收器，能够直接于片内补偿PVT变化对振荡频率的影响。

为了实现上述目的，本发明实施例采用以下技术方案：

一方面，提供一种环形振荡器补偿电路，包括：

正温电流模组，用于连接供电源和基准电流源，输出正温度特性的补偿电流；

电流电压转换模组，连接正温电流模组，用于将补偿电流转换成正温度特性的补偿电压；

稳压器，连接电流电压转换模组，用于分别连接供电源和环形振荡器，将无补偿时环形振荡器的供电电压转换为跟随补偿电压变化的环振供电电压并输出至环形振荡器的供电端；

工艺检测模组，分别连接正温电流模组和电流电压转换模组，用于检测电路的工艺角并根据工艺角对环振供电电压进行工艺补偿；工艺角包括快工艺角或慢工艺角。

在其中一个实施例中，正温电流模组包括PTAT模块和电流比例控制模块，PTAT模块用于连接供电源，PTAT模块分别连接电流比例控制模块、电流电压转换模组和工艺检测模组，电流比例控制模块用于连接基准电流源；

电流比例控制模块用于将基准电流源的零温漂电流转换为比例镜像电流，PTAT模块用在比例镜像电流的控制下产生补偿电流。

在其中一个实施例中，PTAT模块包括晶体管M0、晶体管M1和电阻R0，电阻R0的一端用于连接供电源，晶体管M0的源极连接电阻R0的另一端，晶体管M0的漏极分别连接电流电压转换模组和工艺检测模组，晶体管M0的栅极连接晶体管M1的栅极，晶体管M1的源极用于连接供电源，晶体管M1的漏极连接电流比例控制模块的输出端。

在其中一个实施例中，电流比例控制模块包括晶体管M2和晶体管M3，晶体管M2的漏极分别连接晶体管M1的漏极和栅极，晶体管M2的栅极分别连接晶体管M3的栅极和漏极，晶体管M2的源极连接晶体管M3的源极，晶体管M3的漏极用于连接基准电流源。

在其中一个实施例中，电流电压转换模组包括串联的电阻R1和电阻R2，电阻R1的一端连接PTAT模块，电阻R2的另一端连接工艺检测模组，电阻R1和电阻R2之间引出的接线端子连接稳压器。