[发明专利]环形振荡器补偿电路、CDR控制环路和接收器

权利要求书

1.一种环形振荡器补偿电路，其特征在于，包括：

正温电流模组，用于连接供电源和基准电流源，输出正温度特性的补偿电流；

电流电压转换模组，连接所述正温电流模组，用于将所述补偿电流转换成正温度特性的补偿电压；

稳压器，连接所述电流电压转换模组，用于分别连接所述供电源和环形振荡器，将无补偿时环形振荡器的供电电压转换为跟随所述补偿电压变化的环振供电电压并输出至所述环形振荡器的供电端；

工艺检测模组，分别连接所述正温电流模组和所述电流电压转换模组，用于检测电路的工艺角并根据所述工艺角对所述环振供电电压进行工艺补偿；所述工艺角包括快工艺角或慢工艺角。

2.根据权利要求1所述的环形振荡器补偿电路，其特征在于，所述正温电流模组包括PTAT模块和电流比例控制模块，所述PTAT模块用于连接所述供电源，所述PTAT模块分别连接所述电流比例控制模块、所述电流电压转换模组和所述工艺检测模组，所述电流比例控制模块用于连接所述基准电流源；

所述电流比例控制模块用于将所述基准电流源的零温漂电流转换为比例镜像电流，所述PTAT模块用在所述比例镜像电流的控制下产生所述补偿电流。

3.根据权利要求3所述的环形振荡器补偿电路，其特征在于，所述PTAT模块包括晶体管M0、晶体管M1和电阻R0，所述电阻R0的一端用于连接所述供电源，所述晶体管M0的源极连接所述电阻R0的另一端，所述晶体管M0的漏极分别连接所述电流电压转换模组和所述工艺检测模组，所述晶体管M0的栅极连接所述晶体管M1的栅极，所述晶体管M1的源极用于连接所述供电源，所述晶体管M1的漏极连接所述电流比例控制模块的输出端。

4.根据权利要求3所述的环形振荡器补偿电路，其特征在于，所述电流比例控制模块包括晶体管M2和晶体管M3，所述晶体管M2的漏极分别连接所述晶体管M1的漏极和栅极，所述晶体管M2的栅极分别连接所述晶体管M3的栅极和漏极，所述晶体管M2的源极连接所述晶体管M3的源极，所述晶体管M3的漏极用于连接所述基准电流源。

5.根据权利要求2至4任一项所述的环形振荡器补偿电路，其特征在于，所述电流电压转换模组包括串联的电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的一端连接所述PTAT模块，所述电阻R2的另一端连接所述工艺检测模组，所述电阻R1和所述电阻R2之间引出的接线端子连接所述稳压器。

6.根据权利要求5所述的环形振荡器补偿电路，其特征在于，所述工艺检测模组包括晶体管M4、晶体管M5、电阻R3和电阻R4，所述晶体管M4的漏极连接所述PTAT模块，所述晶体管M4的源极连接所述电阻R3的一端，所述晶体管M4的栅极和漏极相连，所述电阻R3的另一端连接所述电阻R2的另一端；

所述晶体管M5的源极连接所述PTAT模块，所述晶体管M5的漏极连接所述电阻R4的一端，所述晶体管M4的栅极和漏极相连，所述电阻R4的另一端连接所述电阻R2的另一端。

7.根据权利要求5所述的环形振荡器补偿电路，其特征在于，所述稳压器包括运算放大器OP、晶体管M6、电阻R5和电阻R6，所述运算放大器OP的同相输入端连接所述电阻R1和所述电阻R2之间引出的接线端子，所述运算放大器OP的反相输入端连接所述电阻R5和所述电阻R6之间引出的接线端子，所述运算放大器OP的输出端连接所述晶体管M6的栅极；

所述晶体管M6的漏极用于连接所述供电源，所述晶体管M6的源极用于连接所述环形振荡器的供电端，所述电阻R5和所述电阻R6串联，所述电阻R5的一端连接所述晶体管M6的源极，所述电阻R6的另一端连接所述电阻R2的另一端。

8.一种CDR控制环路，其特征在于，包括环形振荡器和权利要求1至7任一项所述的环形振荡器补偿电路。

9.根据权利要求8所述的CDR控制环路，其特征在于，所述环形振荡器为N级环形振荡器，N为不小于3的奇数。

10.一种接收器，其特征在于，包括权利要求8或9所述的CDR控制环路。