[发明专利]斜坡生成器、其操作方法以及图像传感器装置在审

专利信息
申请号: 202210686473.6 申请日: 2022-06-16
公开(公告)号: CN115714924A 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 吴明真;朴栽正;金孝相;申锡浩;郑海能 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N25/616 分类号: H04N25/616;H04N25/75
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王凯霞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 斜坡 生成器 操作方法 以及 图像传感器 装置
【说明书】:

在示例实施例中,一种斜坡生成器包括:斜坡电路,所述斜坡电路在第一斜坡时段期间从控制电路接收第一斜坡使能信号,所述第一斜坡时段包括第一重置时段和第一感测时段,并且所述斜坡电路被配置为向相关双采样电路输出第一斜坡信号;加重电路,所述加重电路基于从所述控制电路接收到的第一使能信号在所述第一重置时段期间增加所述第一斜坡信号的电压电平;以及预加重电路,所述预加重电路基于从所述控制电路接收到的第二使能信号在所述第一重置时段中的第一预加重时段期间进一步增加所述第一斜坡信号的电压电平。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0108797的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。

技术领域

本文描述的本公开的实施例涉及一种斜坡生成器,并且更具体地,涉及一种包括加重电路(emphasis circuit)和预加重电路(pre-emphasis circuit)的斜坡生成器、一种操作该斜坡生成器的方法、和/或一种包括该斜坡生成器的图像传感器装置。

背景技术

图像传感器将从外部入射的光转换成电信号。图像传感器被分类为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或电荷耦合器件(CCD)图像传感器。因为可以通过通用半导体制造装置来制造CMOS图像传感器,所以与CCD图像传感器相比,CMOS图像传感器会相对便宜。与CMOS图像传感器相比,CCD图像传感器可以获得改进质量的图像。

CMOS图像传感器可以包括相关双采样(CDS)电路。因为CDS电路基于斜坡信号操作,所以当斜坡信号非线性地减小时,在CDS电路的操作中发生错误的概率可能增加。因此,期望改进斜坡信号的线性度。

发明内容

本公开的一些示例实施例提供一种包括加重电路和预加重电路的斜坡生成器、一种操作该斜坡生成器的方法、和/或一种包括该斜坡生成器的图像传感器装置。

根据实施例,一种斜坡生成器包括:斜坡电路,所述斜坡电路在第一斜坡时段期间从控制电路接收第一斜坡使能信号,所述第一斜坡时段包括第一重置时段和第一感测时段,并且所述斜坡电路被配置为向相关双采样(CDS)电路输出第一斜坡信号;加重电路,所述加重电路基于从所述控制电路接收到的第一使能信号在所述第一重置时段期间增加所述第一斜坡信号的电压电平;以及预加重电路,所述预加重电路基于从所述控制电路接收到的第二使能信号在所述第一重置时段中的第一预加重时段期间进一步增加所述第一斜坡信号的电压电平。

根据实施例,一种图像传感器装置包括:像素电路,所述像素电路基于外部光信号输出像素信号;斜坡生成器,所述斜坡生成器输出第一斜坡信号;相关双采样(CDS)电路,所述CDS电路基于所述像素信号和所述第一斜坡信号执行相关采样;以及控制电路,所述控制电路与所述像素电路、所述CDS电路和所述斜坡生成器连接,并且所述控制电路生成第一斜坡使能信号、第一使能信号和第二使能信号。所述斜坡生成器包括:斜坡电路,所述斜坡电路在第一斜坡时段期间接收所述第一斜坡使能信号,所述第一斜坡时段包括第一重置时段和第一感测时段,并且所述斜坡生成器被配置为向所述CDS电路输出所述第一斜坡信号;加重电路,所述加重电路从所述控制电路接收所述第一使能信号并且基于所述第一使能信号在所述第一重置时段期间增加所述第一斜坡信号的电压电平;以及预加重电路,所述预加重电路从所述控制电路接收所述第二使能信号并且基于所述第二使能信号在所述第一重置时段中的第一预加重时段期间进一步增加所述第一斜坡信号的电压电平。

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