[发明专利]斜坡生成器、其操作方法以及图像传感器装置在审

专利信息
申请号: 202210686473.6 申请日: 2022-06-16
公开(公告)号: CN115714924A 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 吴明真;朴栽正;金孝相;申锡浩;郑海能 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N25/616 分类号: H04N25/616;H04N25/75
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王凯霞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 斜坡 生成器 操作方法 以及 图像传感器 装置
【权利要求书】:

1.一种斜坡生成器,包括:

斜坡电路,所述斜坡电路被配置为在第一斜坡时段期间从控制电路接收第一斜坡使能信号,所述第一斜坡时段包括第一重置时段和第一感测时段,并且所述斜坡电路被配置为向相关双采样电路输出第一斜坡信号;

加重电路,所述加重电路被配置为:基于从所述控制电路接收到的第一使能信号,在所述第一重置时段期间增加所述第一斜坡信号的电压电平;以及

预加重电路,所述预加重电路被配置为:基于从所述控制电路接收到的第二使能信号,在所述第一重置时段中的第一预加重时段期间进一步增加所述第一斜坡信号的电压电平。

2.根据权利要求1所述的斜坡生成器,其中,

所述第一斜坡时段是从第一时间点到第二时间点的时段,

所述第一重置时段是所述第一时间点与早于所述第二时间点的第三时间点之间的时段,

所述第一预加重时段是所述第一时间点与早于所述第三时间点的第四时间点之间的时段,并且

所述第一感测时段是从所述第三时间点到所述第二时间点的时段。

3.根据权利要求1所述的斜坡生成器,其中,

所述第一斜坡时段是从第一时间点到第二时间点的时段,

所述第一使能信号的电压电平在所述第一时间点与早于所述第二时间点的第三时间点之间的时段中为第一逻辑电平,并且在所述第三时间点从所述第一逻辑电平改变为第二逻辑电平,以及

所述第二使能信号的电压电平在所述第一时间点与早于所述第三时间点的第四时间点之间的时段中为所述第一逻辑电平,并且在所述第四时间点从所述第一逻辑电平改变为所述第二逻辑电平。

4.根据权利要求1所述的斜坡生成器,其中,

所述加重电路进一步被配置为在所述第一重置时段期间基于所述第一使能信号使所述第一斜坡信号的电压电平增加第一部分,并且

所述预加重电路进一步被配置为在所述第一预加重时段期间基于所述第二使能信号使所述第一斜坡信号的电压电平增加第二部分。

5.根据权利要求4所述的斜坡生成器,还包括:

偏置电路,所述偏置电路被配置为向所述斜坡电路、所述加重电路和所述预加重电路输出第一偏置信号。

6.根据权利要求5所述的斜坡生成器,其中,

所述加重电路包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管串联连接在被配置为接收电源电压的电源节点与输出节点之间,所述第一斜坡信号在所述输出节点被形成,

所述第一PMOS晶体管被配置为基于所述第一偏置信号操作,以及

所述第二PMOS晶体管被配置为响应于所述第一使能信号的第一逻辑电平而导通,并且所述第一逻辑电平是逻辑低电平。

7.根据权利要求5所述的斜坡生成器,其中,

所述预加重电路包括第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管,所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管串联连接在被配置为接收电源电压的电源节点与输出节点之间,所述第一斜坡信号在所述输出节点被形成,

所述第三PMOS晶体管被配置为基于所述第一偏置信号操作,以及

所述第四PMOS晶体管被配置为响应于所述第二使能信号的第一逻辑电平而导通,并且所述第一逻辑电平是逻辑低电平。

8.根据权利要求4所述的斜坡生成器,其中,

所述加重电路包括多个加重电流源,并且所述预加重电路包括多个预加重电流源,以及

所述第一部分的大小对应于所述多个加重电流源的数目,并且所述第二部分的大小对应于所述多个预加重电流源的数目。

9.根据权利要求4所述的斜坡生成器,还包括:

偏置电路,所述偏置电路被配置为向所述斜坡电路输出第一偏置信号,向所述加重电路输出第二偏置信号,并且向所述预加重电路输出第三偏置信号。

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