[发明专利]内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备

说明书

本发明提供了一种内侧墙制作方法，该方法包括：提供一衬底；衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；刻蚀牺牲层、沟道层和衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；形成沿第二方向排列的若干假栅结构；刻蚀每个鳍结构形成若干源/漏空腔；刻蚀每个鳍结构中牺牲层的沿第二方向上的两端，形成内墙空腔；以牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内墙；电介质材料填充于内墙空腔中；在源/漏空腔中外延源/漏层。本发明提供的技术方案通过在牺牲层的表面选择性生长电介质材料，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。

技术领域

本发明涉及，尤其涉及一种内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备。

背景技术

在环栅晶体管器件制备工艺中，针对内侧墙技术这一先进工艺节点，目前提出的环栅晶体管器件中内侧墙的制作需要通过沉积电介质材料，以及刻蚀电介质材料两个步骤形成；而在刻蚀电介质材料的过程中容易造成附带损伤，且电介质材料的刻蚀厚度很难准确控制。

因而，研发一种新的形成内侧墙的制备工艺，已经成为业界亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种提供了一种内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备，以解决刻蚀附带损伤无法避免的问题。

根据本发明的第一方面，提供给了一种内侧墙制作方法，该方法包括：

提供一衬底；所述衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；

刻蚀所述牺牲层、所述沟道层和所述衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；并形成位于相邻所述若干鳍结构之间的浅沟槽隔离结构；

形成沿第二方向排列的若干假栅结构；所述假栅结构位于所述若干鳍结构上，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构；

刻蚀每个所述鳍结构形成若干源/漏空腔；

刻蚀每个所述鳍结构中所述牺牲层的沿所述第二方向上的两端，形成内墙空腔；

以所述牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内侧墙；所述电介质材料填充于所述内墙空腔中；

在所述源/漏空腔中外延源/漏层。

可选的，所述内侧墙沿所述第二方向上的厚度受控于生长所述电介质材料的时间。

可选的，所述电介质材料由前驱体材料制成。

可选的，所述前驱体材料为硅基、铝基或铪基材料。

可选的，所述牺牲层的材料为SiGe。

可选的，以所述牺牲层为基础生长电介质材料之前，还包括：对所述牺牲层表面进行表面处理。

可选的，所述表面处理所采用的方式是干法、湿法、氧化法或还原法。

根据本发明的第二方面，还提供了一种半导体器件的制备方法，包括本发明第一方面所述的一种内侧墙制作方法。

根据本发明的第三方面，还提供了一种半导体器件，采用本发明第二方面的一种半导体器件的制备方法制备而成。

根据本发明的第四方面，还提供了一种电子设备，包括本发明第三方面所述的半导体器件。

本发明提供的一种内侧墙制作方法，通过将电介质材料选择性填充到内墙空腔中，从而一步完成内侧墙的制备；无需经过刻蚀工艺，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。

进一步地，由于电介质材料选择性生长的时间可以精准控制，而内侧墙的厚度取决于电介质材料选择性生长的时间；因而，内侧墙的厚度可以得到精准控制，从而解决了内侧墙厚度无法精准控制的问题。

附图说明