[发明专利]内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备在审
| 申请号： | 202210682332.7 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN114999920A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陈鲲;杨静雯;孙新;徐敏;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内侧 制作方法 器件 制备 方法 以及 设备 | ||
1.一种内侧墙制作方法，其特征在于，该方法包括：
提供一衬底；所述衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；
刻蚀所述牺牲层、所述沟道层和所述衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；并形成位于相邻所述若干鳍结构之间的浅沟槽隔离结构；
形成沿第二方向排列的若干假栅结构；所述假栅结构位于所述若干鳍结构上，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构；
刻蚀每个所述鳍结构形成若干源/漏空腔；
刻蚀每个所述鳍结构中所述牺牲层的沿所述第二方向上的两端，形成内墙空腔；
以所述牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内侧墙；所述电介质材料填充于所述内墙空腔中；
在所述源/漏空腔中外延源/漏层。
2.根据权利要求1所述的内侧墙制作方法，其特征在于，所述内侧墙沿所述第二方向上的厚度受控于生长所述电介质材料的时间。
3.根据权利要求2所述的内侧墙制作方法，其特征在于，所述电介质材料由前驱体材料制成。
4.根据权利要求3所述的内侧墙制作方法，其特征在于，所述前驱体材料为硅基、铝基或铪基材料。
5.根据权利要求4所述的内侧墙制作方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为SiGe。
6.根据权利要求5所述的内侧墙制作方法，其特征在于，以所述牺牲层为基础生长电介质材料之前，还包括：对所述牺牲层表面进行表面处理。
7.根据权利要求6所述的内侧墙制作方法，其特征在于，所述表面处理所采用的方式是干法、湿法、氧化法或还原法。
8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：权利要求1至7任一项所述的内侧墙制作方法。
9.一种半导体器件，其特征在于，利用权利要求8所述的半导体器件的制备方法制备而成。
10.一种电子设备，包括权利要求9所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
