[发明专利]AlN接合体

说明书

本发明提供一种良好地接合且没有裂纹的AlN接合体。AlN接合体(10)是将第一AlN部件(11)和第二AlN部件(12)进行接合得到的。第一AlN部件(11)的三氧化二钇含有率为检测极限以下。第二AlN部件(12)含有三氧化二钇。

技术领域

本发明涉及AlN接合体。

背景技术

以往，已知有一种陶瓷加热器，该陶瓷加热器具备：AlN制的板，其具有供晶片载放的晶片载放面且内置有电阻发热体；以及AlN制的筒状轴，其接合于板的与晶片载放面相反一侧的背面(参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第6878677号公报

发明内容

上述陶瓷加热器是将例如包含5质量％的三氧化二钇的AlN制的板和包含5质量％的三氧化二钇的AlN制的筒状轴涂抹助熔剂进行接合而制造的。近年来，为了利用热电偶测定板的外周温度，有时在板上设置热电偶用的沟。另外，作为在晶片成膜时的对策，有时在板上设置气体吹扫用的沟。因此，对在像这样的形成有沟的板上接合筒状轴进行了研究。结果可知：现有的接合方法中，产生以沟为起点的裂纹。产生裂纹是因为接合时的压制压力较高。

本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，提供良好地接合且没有裂纹的AlN接合体。

对于本发明的AlN接合体的一个方案，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的AlN接合体，

所述第一AlN部件的三氧化二钇含有率为检测极限以下，

所述第二AlN部件含有三氧化二钇。

对于本发明的AlN接合体的另一方案，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的AlN接合体，

所述第一AlN部件具有由接合形成的第一扩散层，

所述第二AlN部件具有由接合形成的第二扩散层，

所述第一AlN部件的除所述第一扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为检测极限以下，

所述第二AlN部件的除所述第二扩散层以外的部分含有三氧化二钇。

附图说明

图1是AlN接合体10的主视图。

图2是AlN接合体20的主视图。

图3是AlN接合体30的主视图。

图4是AlN接合体40的主视图。

图5是陶瓷加热器50的纵截面图。

图6是陶瓷加热器50的制造工序图。

图7是陶瓷加热器60的纵截面图。

符号说明

10、20、30、40…AlN接合体，11、31…第一AlN部件，12、32…第二AlN部件，13、33…第三AlN部件，31a…第一扩散层，32a…第二扩散层，33a…第三扩散层，50…陶瓷加热器，51…中间环，52…圆形板，52a…晶片载放面，52b…电阻发热体，52c…热电偶沟，53…筒状轴，53a…凸缘，60…陶瓷加热器，61…第一圆形板，61c…直线沟，62…第二圆形板，62a…晶片载放面，62b…电阻发热体，63…第三圆形板，63c…贯通孔，64…筒状轴，64a…凸缘部，65…层叠板，66…热电偶沟。

具体实施方式