[发明专利]AlN接合体在审
| 申请号： | 202210678549.0 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN115710128A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 山名启太;曻和宏;横田元一;阿部哲久 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | aln 接合 | ||
1.一种AlN接合体，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的，
所述AlN接合体的特征在于，
所述第一AlN部件的三氧化二钇含有率为检测极限以下，
所述第二AlN部件含有三氧化二钇。
2.根据权利要求1所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第二AlN部件的三氧化二钇含有率为0.07质量％以上。
3.根据权利要求1或2所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第一AlN部件包含选自由除三氧化二钇以外的稀土金属氧化物、氧化镁及二氧化钛构成的组中的至少1种氧化物。
4.根据权利要求3所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第一AlN部件包含氧化镁及二氧化钛。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的AlN接合体，其特征在于，
所述AlN接合体具备第三AlN部件，该第三AlN部件接合于所述第一AlN部件的与所述第二AlN部件的接合面相反一侧的面，
所述第三AlN部件含有三氧化二钇。
6.根据权利要求5所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第三AlN部件的三氧化二钇含有率为0.07质量％以上。
7.一种AlN接合体，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的，
所述AlN接合体的特征在于，
所述第一AlN部件具有由接合形成的第一扩散层，
所述第二AlN部件具有由接合形成的第二扩散层，
所述第一AlN部件的除所述第一扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为检测极限以下，
所述第二AlN部件的除所述第二扩散层以外的部分含有三氧化二钇。
8.根据权利要求7所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第二AlN部件的除所述第二扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为0.07质量％以上。
9.根据权利要求7或8所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第一AlN部件包含选自由除三氧化二钇以外的稀土金属氧化物、氧化镁及二氧化钛构成的组中的至少1种氧化物。
10.根据权利要求9所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第一AlN部件包含氧化镁及二氧化钛。
11.根据权利要求7～10中的任一项所述的AlN接合体，其特征在于，
所述AlN接合体具备第三AlN部件，该第三AlN部件接合于所述第一AlN部件的与所述第二AlN部件的接合面相反一侧的面，且具有由接合形成的第三扩散层，
所述第一AlN部件具有由与所述第三AlN部件的接合形成的另一第一扩散层，
所述第一AlN部件的除2个所述第一扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为检测极限以下，
所述第三AlN部件的除所述第三扩散层以外的部分含有三氧化二钇。
12.根据权利要求11所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第三AlN部件的除所述第三扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为0.07质量％以上。
13.根据权利要求5、6、11或12所述的AlN接合体，其特征在于，
所述第二AlN部件为具有晶片载放面的圆形板，
所述第三AlN部件为直径比所述圆形板的直径小的筒状轴，
所述第一AlN部件为夹于所述圆形板与所述筒状轴之间的环。
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