[发明专利]真空镀膜系统

说明书

本发明提供一种真空镀膜系统，属于镀膜设备技术领域。真空镀膜系统，包括真空镀膜室和刻蚀装置；刻蚀装置包括相对设置于真空镀膜室内的第一刻蚀机构和第二刻蚀机构，第一刻蚀机构包括第一刻蚀组件和第一阳极，第二刻蚀机构包括第二刻蚀组件和第二阳极；第一刻蚀组件与真空镀膜室的侧壁相连接，第一阳极设置于真空镀膜室内，且位于第一刻蚀组件的前端；第二刻蚀组件与真空镀膜室的顶壁相连接，第二阳极与真空镀膜室的底壁相连接，且与第二刻蚀组件相对设置。通过在真空镀膜室内相对设置的第一刻蚀机构和第二刻蚀机构能够形成覆盖率更大的刻蚀区，从而在一定程度上提高镀膜效果和镀膜效率。

技术领域

本发明涉及镀膜设备技术领域，尤其是涉及一种真空镀膜系统。

背景技术

DLC(Diamond-like carbon)类金刚石薄膜，它是一种亚稳态长程无序的非晶碳薄膜，碳原子间的键合方式是共价键，主要包含sp2和sp3两种杂化键，在含氢DLC薄膜中还存在一定数量的C-H键，正因为这种特殊的构型使它兼具了金刚石和石墨的优良特性，因此，被广泛应用在金属镀膜作业中。

现有镀膜设备在进行DLC作业时，大多经过镀膜室抽真空、镀膜室内加热、刻蚀、打底、过渡、中间层以及DLC等以上几个步骤。在刻蚀阶段，现有设备大多通过IET刻蚀的方式对工件进行刻蚀、清洗以及打毛等处理，剥离工件内的杂质，并使工件的镀膜表面具有一定的粗糙程度，使膜层更易附着。

但现阶段的镀膜设备虽然能够进行刻蚀以及镀膜等作业，但由于I ET刻蚀的覆盖范围有限，且单一刻蚀的方式使刻蚀程度和效果也不佳，导致刻蚀后工件内部仍残留有其他杂质，从而极大的影响了后续作业以及镀膜效果。

因此，急需提供一种真空镀膜系统，以在一定程度上解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种真空镀膜系统，以在一定程度上提高真空镀膜系统内刻蚀区域的覆盖范围，提高刻蚀程度和刻蚀能力，优化镀膜效果。

本发明提供的一种真空镀膜系统，包括真空镀膜室和刻蚀装置；所述刻蚀装置包括相对设置于所述真空镀膜室内的第一刻蚀机构和第二刻蚀机构，所述第一刻蚀机构包括第一刻蚀组件和第一阳极，所述第二刻蚀机构包括第二刻蚀组件和第二阳极；所述第一刻蚀组件与所述真空镀膜室的侧壁相连接，所述第一阳极设置于所述真空镀膜室内，且位于所述第一刻蚀组件的前端，以形成水平刻蚀区域；所述第二刻蚀组件与所述真空镀膜室的顶壁相连接，所述第二阳极与所述真空镀膜室的底壁相连接，且与所述第二刻蚀组件相对设置，以形成竖直刻蚀区域。

其中，所述第一刻蚀组件包括固定磁场构件、活动磁场构件、调节构件、第一靶座和第一靶材；所述第一靶座与所述真空镀膜室的侧壁相连接，所述固定磁场构件与所述第一靶座位于所述真空镀膜室的外部的一侧相连接，所述第一靶材与所述第一靶座位于所述真空镀膜室内的一侧相连接，所述活动磁场构件设置于所述第一靶座内，且与所述固定磁场构件活动连接；所述调节构件与所述活动磁场构件相连接，以调节所述活动磁场构件的位置。

具体地，所述第二刻蚀组件包括定位构件、水冷座、进气座、安装轴、钼管以及加热丝；所述定位构件与所述真空镀膜室的顶壁相连接，所述定位构件与所述水冷座构成加热腔，且所述水冷座远离所述定位构件的一侧开设有电子出口；所述安装轴的一端沿竖直方向穿过所述定位构件进入所述加热腔内，且与所述钼管的一端相连接，所述钼管的另一端连接有加热丝；所述进气座与所述定位构件相连接，且能够向所述加热腔内充入气体。

进一步地，本发明提供的真空镀膜系统，还包括引弧机构，所述引弧机构设置于所述真空镀膜室的顶壁，且延伸进入所述真空镀膜室内，并与所述第二刻蚀组件相对位。

更进一步地，所述引弧机构包括固定座和引弧杆；所述固定座与所述真空镀膜室的顶壁相连接，所述引弧杆的一端穿过所述固定座进入所述真空镀膜室内，并形成延伸部，所述延伸部向接近所述电子出口的方向延伸。