[发明专利]真空镀膜系统

权利要求书

1.一种真空镀膜系统，其特征在于，包括真空镀膜室和刻蚀装置；

所述刻蚀装置包括相对设置于所述真空镀膜室内的第一刻蚀机构和第二刻蚀机构，所述第一刻蚀机构包括第一刻蚀组件和第一阳极，所述第二刻蚀机构包括第二刻蚀组件和第二阳极；

所述第一刻蚀组件与所述真空镀膜室的侧壁相连接，所述第一阳极设置于所述真空镀膜室内，且位于所述第一刻蚀组件的前端，以形成水平刻蚀区域；

所述第二刻蚀组件与所述真空镀膜室的顶壁相连接，所述第二阳极与所述真空镀膜室的底壁相连接，且与所述第二刻蚀组件相对设置，以形成竖直刻蚀区域。

2.根据权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征在于，所述第一刻蚀组件包括固定磁场构件、活动磁场构件、调节构件、第一靶座和第一靶材；

所述第一靶座与所述真空镀膜室的侧壁相连接，所述固定磁场构件与所述第一靶座位于所述真空镀膜室的外部的一侧相连接，所述第一靶材与所述第一靶座位于所述真空镀膜室内的一侧相连接，所述活动磁场构件设置于所述第一靶座内，且与所述固定磁场构件活动连接；

所述调节构件与所述活动磁场构件相连接，以调节所述活动磁场构件的位置。

3.根据权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征在于，所述第二刻蚀组件包括定位构件、水冷座、进气座、安装轴、钼管以及加热丝；

所述定位构件与所述真空镀膜室的顶壁相连接，所述定位构件与所述水冷座构成加热腔，且所述水冷座远离所述定位构件的一侧开设有电子出口；

所述安装轴的一端沿竖直方向穿过所述定位构件进入所述加热腔内，且与所述钼管的一端相连接，所述钼管的另一端连接有加热丝；

所述进气座与所述定位构件相连接，且能够向所述加热腔内充入气体。

4.根据权利要求3所述的真空镀膜系统，其特征在于，还包括引弧机构，所述引弧机构设置于所述真空镀膜室的顶壁，且延伸进入所述真空镀膜室内，并与所述第二刻蚀组件相对位。

5.根据权利要求4所述的真空镀膜系统，其特征在于，所述引弧机构包括固定座和引弧杆；

所述固定座与所述真空镀膜室的顶壁相连接，所述引弧杆的一端穿过所述固定座进入所述真空镀膜室内，并形成延伸部，所述延伸部向接近所述电子出口的方向延伸。

6.根据权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征在于，还包括磁控溅射装置，所述磁控溅射装置包括第一磁控溅射机构和第二磁控溅射机构，所述第一磁控溅射机构包括两个相对设置的第一磁控溅射组件，所述第二磁控溅射机构包括两个相对设置的第二磁控溅射组件；

两个所述第一磁控溅射组件包括的靶材相同，两个所述第二磁控溅射组件包括的靶材相同，所述第一磁控溅射组件的靶材与所述第二磁控溅射组件的靶材不同；

所述第一磁控溅射组件和所述第二磁控溅射组件均与所述真空镀膜室的侧壁相连接，且第一磁控溅射组件和所述第二磁控溅射组件间隔设置。

7.根据权利要求6所述的真空镀膜系统，其特征在于，所述第一磁控溅射组件和所述第二磁控溅射组件均包括第二靶座和屏蔽罩，且所述第一磁控溅射组件还包括第二靶材，所述第二磁控溅射组件还包括第三靶材；

所述第二靶座与所述真空镀膜室的侧壁相连接，且所述第二靶座与所述屏蔽罩形成呈矩形的安装空间，所述屏蔽罩上形成有敞口部，所述第二靶材和所述第三靶材均设置于对应的所述安装空间内；

所述第二靶材由碳化钨制成，所述第三靶材由铬制成。

8.根据权利要求7所述的真空镀膜系统，其特征在于，所述第一磁控溅射组件和所述第二磁控溅射组件均包括磁场构件，所述第二靶座上形成有第一承载槽和第二承载槽，所述第一承载槽和所述第二承载槽独立间隔设置，所述第一承载槽和所述第二承载槽内均设有所述磁场构件；

所述磁场构件包括磁极不同的第一磁体、第二磁体和承载座，所述第一磁体和所述第二磁体设置于所述承载座的两端，且所述第一承载槽内的第二磁体与所述第二承载槽内的第二磁体相接近，所述第一承载槽内的第一磁体与所述第二承载槽内的第一磁体相远离。