[发明专利]一种提高低压化成箔比容的预处理方法及其应用

说明书

本发明公开了一种制备高比容低压化成箔的预处理方法及其应用。所述预处理方法通过将铝箔至于预处理液中浸泡，所述预处理液包含以下浓度的组分：0.01～0.5g/L三乙醇胺，0.01～0.5g/L的有机弱酸；所述浸泡的时间不低于10s。所述预处理方法再铝箔表面形成了微量的胺化铝，可以提高氧化铝的介电常数，可以使得预处理后的铝箔经腐蚀化成后的比容增大；有机弱酸起到中和作用，避免产生氢氧化铝造成孔洞堵塞，降低比容的问题。采用该工艺后制得的低压化成箔的比容较高，性能较好。

技术领域

本发明属于化成箔技术领域，具体涉及一种提高低压化成箔比容的预处理方法及其应用。

背景技术

铝电解电容器作为基础电子元件，能够起到通交流、阻直流的作用，实现滤波、快速充放电的功能。随着电子设备整机小型化的发展，对低压铝电解电容器的体积缩小和比容提高提出了迫切需要，低压化成箔作为低压铝电解电容器中的核心材料，对电容器的各种特性起决定性作用。

通常，铝电解电容器是由阳极箔、电极纸、阴极箔、电解纸相间转绕并浸透电解液而形成的电容元件。现有低压化成箔的化成方法一般是经过如下步骤：取经过腐蚀的铝箔，置于己二酸铵及己二酸盐的水溶液中，经过化成、水洗，在浓度1～8％的磷酸溶液中进行钝化处理、水洗；再置于磷酸二氢盐水溶液中，经过化成、水洗，得到。但是常规的化成方法得到的低压化成箔的比容较低，一般不超过90μF/cm²，很多时候没有办法满足客户的需求。

因此，需要开发出一种提高比容低压化成箔的预处理方法，使得制得的低压化成箔比容能够满足客户需求，减少电容器的尺寸，满足小型化的需求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术不足，提供了一种提高低压化成箔比容的预处理方法，采用三乙醇胺的酸性水溶液进行预处理，再经腐蚀化成，可以提高低压化成箔的比容。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案来实现的：

一种提高低压化成箔比容的预处理方法，包括以下步骤：

预处理：将铝箔至于预处理液中浸泡，所述预处理液包含以下浓度的组分：0.01～0.5g/L三乙醇胺，0.01～0.5g/L的有机弱酸；所述浸泡的时间不低于10s。

发明人发现，采用特定浓度的三乙醇胺和有机弱酸水溶液对铝箔进行预处理，三乙醇胺可以和铝箔生成微量的胺化铝，可以提高氧化铝的介电常数，可以使得预处理后的铝箔经腐蚀化成后的比容增大；有机弱酸起到中和作用，否则会产生氢氧化铝造成孔洞堵塞，降低比容。

优选地，所述预处理液包含以下浓度的组分：0.05～0.5g/L三乙醇胺，0.05～0.5g/L的有机弱酸。

更优选地，所述预处理液中三乙醇胺和有机弱酸浓度相同。进一步调整预处理液中三乙醇胺和有机弱酸浓度，当二者浓度相同时，可以进一步提高低压化成箔的比容。

更优选地，所述预处理液包含以下浓度的组分：0.05～0.5g/L三乙醇胺，0.05～0.5g/L的有机弱酸；所述三乙醇胺和有机弱酸浓度相同。

优选地，所述有机弱酸为柠檬酸、酒石酸或乳酸中的一种或几种。

优选地，所述浸泡的时间为10s～180s。

本发明的另一目的在于提供一种高比容预处理铝箔。

本发明的另一目的在于提供一种高比容低压化成箔。

本发明的另一目的在于提供一种高比容低压化成箔的制备方法。

一种高比容低压化成箔的制备方法，包括以下步骤：将上述方法制得的高比容预处理铝箔依次进行第一级化成、清洗、钝化处理、热处理、第二级化成、清洗、烘干。

具体地，所述高比容低压化成箔的制备方法包括以下步骤：