[发明专利]一种晶圆承载平台在审
| 申请号: | 202210670454.4 | 申请日: | 2022-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN114975220A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 产文兵;郑军 | 申请(专利权)人: | 聚时科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙) 42300 | 代理人: | 林琳 |
| 地址: | 上海市杨浦区杨树浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 承载 平台 | ||
本发明涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆承载平台,包括马达、氧化铝多孔陶瓷、气滑环,所述氧化铝多孔陶瓷通过支撑环安装在马达上,所述气滑环设置在马达的中空位置,所述气滑环与氧化铝多孔陶瓷底部的密封板连接,且气滑环的可水平旋转的气管接口穿过密封板为氧化铝多孔陶瓷提供真空吸附晶圆,所述马达用于带动氧化铝多孔陶瓷水平旋转。本发明通过分布于氧化铝致密陶瓷的气道分隔812寸晶圆吸附功能,接触面氧化铝多孔陶瓷则具有较高孔隙率及通孔率保证吸附翘曲较大的晶圆,气滑环能够很好的保证平台面需要旋转360°工况。本技术方案旨在对平面度要求较高且对大翘曲度晶圆的真空吸附牢固性。
技术领域
本发明涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆承载平台。
背景技术
传统晶圆固定装置对于吸附翘曲相对较大的晶圆采用卡盘方式,其包括一承载面,在承载面设置有真空管路、真空孔和密封圈中的任意一个或几个,此结构对于承载面平面度要求较高的场合应用不合适、其次通过布局在接触面的单个或多个密封圈来保证吸附性,对于单个密封圈可能会存在晶圆被拉变形导致晶圆上表面检测成像失真;对于多个密封圈也可能存在安装变形不同步等现象,晶圆的承载平面度无法保证等现象。为此,我们提出一种晶圆承载平台。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种晶圆承载平台,与晶圆接触面采用氧化铝多孔陶瓷,不仅提供相对均匀真空吸附力及前后压差需求,而且能够保证非常高的平面度要求,平面度的提升也有助于对于翘曲度较高晶圆吸附效果。
本发明提供如下技术方案:一种晶圆承载平台,包括马达、氧化铝多孔陶瓷、气滑环,所述氧化铝多孔陶瓷通过支撑环安装在马达上,所述气滑环设置在马达的中空位置,所述气滑环与氧化铝多孔陶瓷底部的密封板连接,且气滑环的可水平旋转的气管接口穿过密封板为氧化铝多孔陶瓷提供真空吸附晶圆,所述马达用于带动氧化铝多孔陶瓷水平旋转。
优选的,还包括底板,所述马达设置在底板上,所述底板上对称设置有左气缸和右气缸,所述氧化铝多孔陶瓷中预埋有至少三个均布的用于向上顶起晶圆的Pin柱,所述Pin柱的底部伸出密封板并与环形的Pin支撑板连接,所述左气缸和右气缸用于同步向上顶起Pin支撑板及Pin柱。
优选的,所述密封板上设置有Pin封板,所述Pin柱上设置有球头柱塞,所述Pin封板用于向上托柱球头柱塞和Pin柱。
优选的,所述氧化铝多孔陶瓷可360度旋转。
优选的,所述气滑环的底部设置有滑环支撑。
优选的,所述密封板采用氧化铝致密陶瓷。
本发明提供了一种晶圆承载平台,此平台主要包括底板、马达提供旋转、Pin支撑板、左右气缸提供上升动力、通过分布于氧化铝致密陶瓷的气道分隔812寸晶圆吸附功能,接触面氧化铝多孔陶瓷则具有较高孔隙率及通孔率保证吸附翘曲较大的晶圆,气滑环能够很好的保证平台面需要旋转360°工况。本技术方案旨在对平面度要求较高且对大翘曲度晶圆的真空吸附牢固性。
附图说明
图1为本发明的结构主视图;
图2为本发明图1中A-A的剖视图;
图3为本发明的Pin柱局部剖视图。
图中:1、底板;2、马达;3、Pin支撑板;4、左气缸;5、支撑环;6、氧化铝多孔陶瓷;7、氧化铝致密陶瓷;8、顶升柱;9、右气缸;10、气管接头;11、气滑环;12、滑环支撑;13、Pin柱;14、球头柱塞;15、Pin封板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





