[发明专利]一种针对电容的主动放电系统及车辆

权利要求书

1.一种针对电容的主动放电系统，包括电池及连接于所述电池两端的放电电容，其特征在于，

所述主动放电系统还包括：

放电电阻R12，一端与所述放电电容连接；

NMOS管T2，漏极与所述放电电阻R12的另一端连接，源极接地；

触发电路，与所述NMOS管T2的栅极连接，并外接一触发信号；

保护电路，分别与所述触发电路及放电电阻R12连接；

当所述触发信号自高电平变化为低电平时，所述触发电路基于所述低电平的触发信号向所述NMOS管T2发送高电平信号，所述NMOS管T2导通以将所述放电电容的能量释放，其中触发电路包括：

第三输入端，接收所述触发信号；

NMOS管T6，栅极与所述第三输入端连接，漏极接地；

第二比较器，包括第二正相输入、第二负相输入和第二输出，所述第二正相输入与一电压源VCC连接，所述第二负相输入与所述NMOS管T6的源极连接，所述第二输出连接至所述NMOS管T2的栅极连接，且所述第二输出用作为所述触发电路的第一输出端。

2.如权利要求1所述的主动放电系统，其特征在于，

所述保护电路包括：

所述电压源VCC；

第一输入端，与所述触发电路的第一输出端连接；

NMOS管T3，栅极与所述第一输入端连接，漏极接地；

第一比较器，包括第一正相输入、第一负相输入和第一输出，所述第一正相输入与所述电压源VCC连接，所述第一负相输入与所述NMOS管T3的源极连接，所述第一输出连接至所述触发电路的第二输入端；

当所述触发电路的第一输出端输出高电平信号时，所述NMOS管T3向所述第一负相输入置低，所述第一比较器的第一输出置高，使得所述触发电路的第一输出端输出低电平。

3.如权利要求2所述的主动放电系统，其特征在于，

所述触发电路还包括：

NMOS管T7，栅极与所述第一比较器的第一输出连接，漏极与所述NMOS管T6的源极连接，源极与所述电压源VCC连接；

电阻R27，一端连接在NMOS管T6的源极，另一端连接在NMOS管T7的漏极；

电阻R9，一端连接在NMOS管T7的源极，另一端连接在电压源VCC；

电阻R8，一端连接在电压源VCC，另一端与所述第二负相输入连接；

电阻R25，一端与所述第二负相输入连接，另一端接地；

电容C1，一端接地，另一端与所述第二负相输入连接；

电阻R18，一端与所述第二正相输入连接，另一端接地；

电阻R4，一端与所述第二正相输入连接，另一端连接在电压源VCC；

电阻R31，一端连接在电压源VCC，另一端与所述第二输出连接，其中

电阻R25与电阻R8的比值大于电阻R18与电阻R4的比值，电阻R9的阻值远小于电阻R8与电阻R25的并联和，电阻R27的阻值远小于电阻R8与电阻R25的并联和或为零。

4.如权利要求1所述的主动放电系统，其特征在于，

所述保护电路包括：

电阻R6，一端与电容C8连接；

电阻R7，一端与电容C8连接，另一端接地；

电容C10，并联于所述电阻R7的两端；

电阻R23，一端连接在电压源VCC；

肖特基二极管SD3，一端与所述电阻R23的另一端连接；

肖特基二极管SD2，一端与所述肖特基二极管SD3的另一端连接；

电阻R21，一端连接在电压源VCC，另一端与所述肖特基二极管SD2的另一端连接；

电阻R13，一端接地，另一端与所述第一正相输入连接；

电阻R19，一端连接在电压源VCC，另一端与所述第一正相输入连接；

电阻R11，一端与所述NMOS管T3的源极连接，另一端与第一负相输入连接；

电容C5，一端接地，另一端与所述电阻R11连接；

电阻R20，一端接地，另一端与所述电阻R11连接；

电阻R10，一端连接在电压源VCC，另一端与第一负相输入连接，其中

电阻R20与电阻R10的比值大于电阻R13与电阻R19的比值，且电阻R20和电阻R1的并联和与电阻R10的比值小于电阻R13与电阻R19的比值。