[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块(1)，具有：

被布置成至少两组(2、3、32、33)的多个半导体切换器(4)，所述半导体切换器(4)具有受控路径的第一端子和第二端子以及控制端子(10)，

每个组(2、3、32、33)具有连接到所述第一端子的第一组接触部(14)、连接到所述第二端子的第二组接触部和连接到所述控制端子(10)的控制组接触部(13)，

互连桥(6、35)，所述互连桥(6、35)用于连接所述至少两组(2、3、32、33)的所述控制组接触部(13)和所述第一组接触部(14)，

所述互连桥(6、35)包括层结构，所述层结构具有被绝缘层(21)分隔开的第一导电层(17)和第二导电层(18)。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述层结构被形成为印刷电路板。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述层结构被形成为柔性印刷电路板。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述层结构是由具有两侧金属化部的陶瓷衬底形成的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述互连桥(6、35)在每侧包括至少两个脚(19、20)。

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述互连桥(6、35)的所述至少两个脚(19、20)与组接触部(13、14)之间的连接是钎焊连接、熔焊连接、或烧结连接、或粘合连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述多个半导体切换器(4)是基于Si或宽带隙材料的MOSFET或IGBT中的至少一种。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的功率半导体模块，

其特征在于，模块栅极接触部(5)与所述多个半导体切换器的控制端子(10)之间的直接连接。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的功率半导体模块，

其特征在于，模块栅极接触部(5)与所述多个半导体切换器的控制端子(10)之间连接有具有小于2Ω的电阻器(24)。

10.根据权利要求9所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述电阻器(24)是位于金属化部上的半导体电阻器。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的功率半导体模块，

其特征在于，一组(2、3、32、33)内的栅极电感的最大差是2nH。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述功率半导体模块为切换器或半桥。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述绝缘层(21)的厚度小于150μm。

14.根据权利要求13所述的功率半导体模块，

其特征在于，所述绝缘层(21)的厚度小于80μm。