[发明专利]一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器

说明书

本发明涉及陶瓷介质电容器芯片技术领域，尤其涉及一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器，陶瓷介质电容器芯片包括陶瓷体和两个极板，陶瓷体的相对设置的两个端面上分别设有一个凹槽，每个凹槽内分别设有一个极板，将两个极板分别设置陶瓷体的相对设置的两个端面的凹槽内，凹槽边缘处的凸台能够阻止极板向陶瓷体的边缘处靠近，进而有效防止两个极板爬电导通，大幅度提升了两个极板间的绝缘强度，由此实现了一种高可靠性的陶瓷介质电容器芯片，能够促进陶瓷介质电容器向小型化发展。

技术领域

本发明涉及陶瓷介质电容器芯片技术领域，尤其涉及一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器。

背景技术

电容器是三大无源元件(电阻、电容器、电感器)之一，在电子电器装置中几乎无处不在。电容器看起来非常简单，例如，陶瓷介质电容器包括叠片陶瓷介质电容器MLCC和单层陶瓷介质电容器，其中，叠片陶瓷介质电容器MLCC由两个极板、陶瓷电介质构成，单层陶瓷介质电容器由两个极板、陶瓷电介质、引线和绝缘层构成，但是在实际应用中有很多问题不单出现在电容器的选择上，电容器自身的绝缘能力也是导致其故障的关键所在。

叠层陶瓷介质电容器受结构、工艺限制，其绝缘性能主要靠陶瓷材料，而单层陶瓷介质电容器与叠层陶瓷介质电容器不同，其绝缘性能与两电极即极板之间距离、陶瓷材料、包封或封装层等都存在关系。

陶瓷介质电容器不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即I类陶瓷介质电容器和II类陶瓷介质电容器，C0G、NP0属于I类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5U、Y5V等都属于II类陶瓷。

I类陶瓷介质电容器特点是容量稳定性好，基本不随之温度、电压、时间的变化而变化，但是容量一般较小；温度范围-55～125℃，温度系数为0±30ppm/℃以内变化。II类陶瓷介质电容器的容量稳定性较差，X7R工作温度范围-55～125℃，容量变化率为±15％；X5R工作温度范围-55～85℃，容量变化率为±15％；Y5U、Y5V工作温度范围-30～85℃，容量变化率分别为+22％～-56％和+22％～-82％，但是容量相对较大，目前技术最大可达6.3V-上百微法/25V-几十微法的水平，所以，应用在对容量稳定性有要求的场合选I类NP0，C0G电容，用在一般的滤波场合选X7R或X5R、Y5U、Y5V，因为容量变化率相对其他II类陶瓷介质电容器小些。

陶瓷介质电容器属于平板电容器，平板电极间介质由陶瓷介质组成，其电容量与极板间有效面积成正比，与极板间距离成反比，并且与介质相对真空的介电系数成正比。具体地：平板电容器电容量公式为：C表示电容量，ε表示两个极板间的介质的介电常数，S表示两个极板间的有效面积，d表示两个极板间的距离，根据该公式可知，要想获得大的电容量，应选用尽可能大的极板面积、尽可能小的极板间距和尽可能大的极板间介质的介电常数。

随着元器件向小型化发展的趋势，势必要求陶瓷介质电容器的芯片需要做到更小。相同单位电极面积、厚度情况下，I类陶瓷介质电容器的电容量相对II类陶瓷介质电容器的电容量小，温度特性较好的II类陶瓷介质电容器介电常数较小，相反，温度特性较差的II类陶瓷介质电容器介电常数较大。