[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构包括第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案与所述第二导电图案间隔开，所述第一栅极堆叠结构与所述第二栅极堆叠结构相邻；

垂直导线，所述垂直导线与所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构相邻设置；以及

半导体基板，所述半导体基板延伸以与所述第一栅极堆叠结构、所述第二栅极堆叠结构和所述垂直导线交叠，

其中，所述半导体基板包括多个传输晶体管，所述多个传输晶体管连接到所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构中的至少一个的所述第一导电图案和所述第二导电图案，并且

其中，所述垂直导线连接到所述多个传输晶体管的多个栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在平行于所述半导体基板的平面上，所述垂直导线在第一方向上延伸，并且所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构在与所述垂直导线相交的第二方向上彼此相邻，

其中，所述第一栅极堆叠结构包括第一端部和在所述第一方向上与所述第一端部间隔开的第二端部，并且

其中，所述多个传输晶体管包括与所述第一栅极堆叠结构的所述第一端部交叠的第一传输晶体管和与所述第一栅极堆叠结构的所述第二端部交叠的第二传输晶体管。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体基板包括：

第一接触区域，所述第一传输晶体管设置在所述第一接触区域中；

第二接触区域，所述第二传输晶体管设置在所述第二接触区域中；

单元阵列区域，所述单元阵列区域位于所述第一接触区域和所述第二接触区域之间；

第三接触区域，所述第三接触区域与所述垂直导线交叠；以及

行解码器区域，所述行解码器区域面对所述第二接触区域，并且所述第一接触区域和所述单元阵列区域插置在所述行解码器区域和所述第二接触区域之间，所述行解码器区域延伸为与所述第三接触区域相邻。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第一下部导线，所述第一下部导线设置在所述第一传输晶体管和所述第一栅极堆叠结构之间，所述第一下部导线将所述第一导电图案与所述第一传输晶体管彼此连接；

第二下部导线，所述第二下部导线设置在所述第二传输晶体管与所述第一栅极堆叠结构之间，所述第二下部导线将所述第二导电图案与所述第二传输晶体管彼此连接；

行解码器，所述行解码器设置在所述半导体基板的所述行解码器区域中；以及

第三下部导线，所述第三下部导线设置在所述第一传输晶体管与所述第一栅极堆叠结构之间的高度处，所述第三下部导线连接到所述行解码器。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一下部导线、所述第二下部导线和所述第三下部导线中的每一者延伸以与所述垂直导线交叠。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括多个导电接触结构，所述多个导电接触结构设置在所述垂直导线所设置在的高度与所述第一下部导线至所述第三下部导线所设置在的高度之间，

其中，所述垂直导线经由所述多个导电接触结构连接到所述第一下部导线、所述第二下部导线和所述第三下部导线。

7.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

沟道层，所述沟道层与所述半导体基板的所述单元阵列区域交叠，所述沟道层穿透所述第一栅极堆叠结构；

存储器层，所述存储器层位于所述沟道层和所述第一栅极堆叠结构之间；

位线，所述位线设置在所述沟道层和所述半导体基板之间，所述位线连接到所述沟道层；以及

源极层，所述源极层延伸以与所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构交叠，所述源极层与所述沟道层接触。