[发明专利]逐周期电流限制电路及电源管理芯片

权利要求书

1.一种逐周期电流限制电路，其特征在于，所述逐周期电流限制电路包括用于采样功率管电流的电流采样单元、用于根据所述电流采样单元采样的电流值对所述功率管的工作进行控制的限流单元、用于为所述限流单元提供电流偏置的电流偏置单元以及用于调节所述电流采样单元温度系数的温度系数调节单元，所述限流单元包括采样侧支路和调节侧支路以及控制信号输出支路，所述电流采样单元的输出端与所述温度系数调节单元连接，所述电流偏置单元和所述温度系数调节单元均连接在所述采样侧支路与所述调节侧支路之间，所述调节侧支路与所述控制信号输出支路连接；所述电流偏置单元包括第一三极管、第五电阻、第四NMOS管和可比例输出多个偏置电流的电流镜单元组，所述电流镜单元组包括一输入支路和多个输出支路，各所述输出支路的输出端作为所述电流偏置单元的输出端连接在所述采样侧支路与所述调节侧支路之间，所述输入支路连接在电源端和第一三极管的集电极之间，所述第一三极管的基极与基准电压信号连接，所述第一三极管的发射极经所述第五电阻接地，所述第四NMOS管的漏极与栅极连接并与各所述输出支路的输出端连接，所述第四NMOS管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的逐周期电流限制电路，其特征在于，所述温度系数调节单元包括两个支路，一支路包括串联连接的第一电阻、第二电阻，另一支路包括第三电阻，所述第一电阻和第二电阻串联连接在电源端和采样侧支路之间，所述第一电阻和第二电阻之间的公共端与所述电流采样单元的输出端连接，所述第三电阻连接在电源端和所述调节侧支路之间。

3.根据权利要求2所述的逐周期电流限制电路，其特征在于，所述采样侧支路和调节侧支路构成源极比较器，采样侧支路包括第一PMOS管和第一NMOS管，调节侧支路包括第二PMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述温度系数调节单元的一支路连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，第二PMOS管的源极与所述温度系数调节单元的另一支路连接，所述第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极均与所述电流偏置单元的输出端连接，所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接并与所述控制信号输出支路连接。

4.根据权利要求3所述的逐周期电流限制电路，其特征在于，所述限流单元还包括设置在采样侧支路和调节侧支路之间的第一稳压管和第四电阻，所述第一稳压管的阳极与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第一稳压管的阴极与所述第二PMOS管的源极连接；所述第四电阻连接在所述第一PMOS管的栅极和漏极之间。

5.根据权利要求4所述的逐周期电流限制电路，其特征在于，所述控制信号输出支路包括第一反相器和第一或非门，所述第一反相器的输入端与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一反相器的输出端与所述第一或非门的一输入端连接，所述第一或非门的输出端输出控制信号至所述功率管。

6.根据权利要求5所述的逐周期电流限制电路，其特征在于，所述控制信号输出支路还包括前沿消隐模块，所述前沿消隐模块包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极输入前沿消隐信号，所述第三NMOS管的漏极与所述第一反相器的输入端连接，所述第三NMOS管的源极接地。

7.根据权利要求1所述的逐周期电流限制电路，其特征在于，所述电流镜单元组包括4个输出支路，所述输入支路包括第三PMOS管，4个所述输出支路分别为第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管，所述第三PMOS管的源极与电源端连接，所述第三PMOS管的栅极和漏极连接并与所述第一三极管的集电极、各所述输出支路的PMOS管的栅极连接，各输出支路的PMOS管的源极与电源端连接、漏极作为输出；且所述输入支路与4个所述输出支路之间的电流值比值为10：6：4：2：1。