[发明专利]一种钽箔的制备方法

权利要求书

1.一种钽箔的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将钽粉依次进行粉末轧制处理和第一真空烧结处理，得到粗箔；

(2)将步骤(1)得到的所述粗箔依次进行冷轧处理、第二真空烧结处理和精轧处理，得到所述钽箔。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述钽粉的平均粒径为3-20μm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述粉末轧制处理中轧辊缝隙为0.1-0.5mm；

优选地，所述粉末轧制处理的速度为0.5-2m/min。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述第一真空烧结处理的真空度为1×10^-6-1×10^-2Pa；

优选地，所述第一真空烧结处理的温度为2000-2500℃；

优选地，所述第一真空烧结处理的时间为60-120min。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述冷轧处理的加工率为10-15％。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二真空烧结处理的真空度为1×10^-6-1×10^-2Pa。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二真空烧结处理的温度为1500-2500℃。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二真空烧结处理的时间为30-90min。

9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述精轧处理的加工率为2-5％。

10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将平均粒径为3-20μm的钽粉进行粉末轧制处理，所述粉末轧制处理中轧辊缝隙为0.1-0.5mm，速度为0.5-2m/min，然后在1×10^-6-1×10^-2Pa，2000-2500℃下进行第一真空烧结处理60-120min，得到粗箔；

(2)将步骤(1)得到的所述粗箔进行冷轧处理，加工率为10-15％，然后在1×10^-6-1×10^-2Pa，1500-2500℃下进行第二真空烧结处理30-90min，之后进行精轧处理，加工率为2-5％，得到所述钽箔。