[发明专利]LED光源组件及其制作方法、LED显示屏

权利要求书

1.一种LED光源组件的制作方法，其特征在于，包括：

在线路基板的正面设置若干发光单元；

将黑色基材的分子溅射到所述线路基板的正面和各所述发光单元的表面，以形成将所述线路基板的正面和各所述发光单元的表面覆盖的黑色沉积层；

将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的至少一部分去除，所述发光单元的正出光面为所述发光单元远离所述线路基板的一面；

在所述线路基板的正面之上形成将所述黑色沉积层和各所述发光单元覆盖的第一封装层，所述第一封装层为透光层。

2.如权利要求1所述的LED光源组件的制作方法，其特征在于，所述将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的至少一部分去除为：

采用激光直接将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的至少一部分去除；

或，

所述将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的至少一部分去除之前，还包括：在所述黑色沉积层之上形成第二封装层，所述第二封装层为胶层；

所述将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的至少一部分去除包括：将各所述发光单元的正出光面上的所述第二封装层随各所述发光单元的正出光面上的至少一部分黑色沉积层一起去除。

3.如权利要求1所述的LED光源组件的制作方法，其特征在于，所述将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的至少一部分去除为：将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的全部去除。

4.如权利要求1所述的LED光源组件的制作方法，其特征在于，所述将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的至少一部分去除为：将各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的一部分去除，且所述黑色沉积层为透光层。

5.如权利要求1-4任一项所述的LED光源组件的制作方法，其特征在于，所述将黑色基材的分子溅射到所述线路基板的正面和各所述发光单元的表面包括：

在真空通磁环境下，利用磁场引导离子轰击一种黑色基材，将该黑色基材的分子均匀溅射到所述线路基板的正面和各所述发光单元的表面；

或，

在真空通磁环境下，利用磁场引导离子同时轰击至少两种黑色基材，将所述至少两种的黑色基材的分子均匀溅射到所述线路基板的正面和各所述发光单元的表面；

或，

在真空通磁环境下，利用磁场引导离子依次轰击至少两种黑色基材，将所述至少两种的黑色基材的分子依次均匀溅射在所述线路基板的正面和各所述发光单元的表面。

6.如权利要求1-4任一项所述的LED光源组件的制作方法，其特征在于，所述黑色基材包括氧化物、硅化物、氮化物和合成物中的至少一种，所述合成物为所述氧化物、硅化物、氮化物中的至少两种的合成物。

7.一种LED光源组件，其通过如权利要求1-6任一项所述的LED光源组件的制作方法制得，其特征在于，所述LED光源组件包括：

线路基板；

设于所述线路基板正面上的若干发光单元；

沉积在所述线路基板正面和各所述发光单元的表面上的黑色沉积层；且各所述发光单元的正出光面上的所述黑色沉积层的第一厚度，小于其他处的所述黑色沉积层的第二厚度；

设置在所述线路基板的正面之上，将所述黑色沉积层和各所述发光单元覆盖的第一封装层，所述第一封装层为透光层。

8.如权利要求7所述的LED光源组件，其特征在于，所述第二厚度大于等于2纳米，小于等于300纳米，所述第一厚度大于等于0，小于所述第二厚度。

9.如权利要求8所述的LED光源组件，其特征在于，所述第一厚度大于0，小于所述第二厚度，所述黑色沉积层在所述第二厚度区域的透光率大于30％。

10.一种LED显示屏，其特征在于，包括驱动元件和如权利要求7-9任一项所述的LED光源组件，所述驱动元件设置于所述线路基板的背面或正面，并与各所述发光像素单元电连接。