[发明专利]控制方法和控制装置

说明书

本发明提供能避免成膜装置的处理容器内的过升温的控制方法和控制装置。能在被收纳在管状部件内的基片上形成膜的成膜装置中的控制方法包括下述步骤：获取管状部件内的第1温度传感器测量的第1温度；基于获取的第1温度计算向配置在处理容器内的加热部输出的使得第1温度接近目标温度的第1功率；获取管状部件外且处理容器内的第2温度传感器测量的第2温度；基于获取的第2温度计算向加热部输出的使得第2温度接近温度上限值的第2功率；基于至少能预测第2温度的预测模型，根据获取的第2温度计算规定时间后的第2温度的预测值；与计算出的第2温度的预测值相应地向加热部输出第1功率和第2功率中的任一者；以规定周期反复进行上述各步骤。

技术领域

本发明涉及控制方法和控制装置。

背景技术

例如，提出了测量半导体制造装置的处理容器内的温度，并将测量结果用于在处理容器内实施的基片处理的处理条件的控制的技术(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-172409号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在处理容器内，热的传递耗费时间，有时会对温度控制造成影响。

本发明提供能够不产生成膜装置中的温度控制的延迟而避免处理容器内的过升温的技术。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式提供一种控制方法，其为成膜装置中的控制方法，所述成膜装置具有处理容器和配置在所述处理容器内的管状部件，能够在被收纳在所述管状部件内的基片上形成膜，所述控制方法的特征在于，包括：步骤(a)，获取设置在所述管状部件内的第1温度传感器测量的第1温度；步骤(b)，基于所获取的所述第1温度，计算向配置在所述处理容器内的加热部输出的使得所述第1温度接近目标温度的第1功率；步骤(c)，获取设置在所述管状部件外且设置在所述处理容器内的第2温度传感器测量的第2温度；步骤(d)，基于所获取的所述第2温度，计算向所述加热部输出的使得所述第2温度接近温度上限值的第2功率；步骤(e)，基于至少能够预测所述第2温度的预测模型，根据所获取的所述第2温度来计算规定时间后的所述第2温度的预测值；步骤(f)，与计算出的所述第2温度的预测值相应地向所述加热部输出所述第1功率和所述第2功率中的任一者；和步骤(g)，以规定周期反复进行所述步骤(a)～(f)。

发明效果

采用本发明的一个方面，能够不产生成膜装置中的温度控制的延迟而避免处理容器内的过升温。

附图说明

图1是表示实施方式的热处理装置的一个例子的截面示意图。

图2是用于对处理容器内的过升温的技术问题进行说明的图。

图3是表示第1实施方式的热处理装置的控制方法的概要的图。

图4是表示第1实施方式的热处理装置的控制装置的一个例子的图。

图5是表示第1实施方式的控制装置的控制部的构成和一个动作例的图。

图6是表示第1实施方式的控制装置的预测部的构成和动作例1的图。

图7是表示第1实施方式的控制装置的预测部的构成和动作例2的图。

图8是表示第1实施方式的控制装置的预测部的构成和动作例3的图。

图9是表示基于比较例1的控制的模拟结果的一个例子的图。

图10是表示基于比较例2的控制的模拟结果的一个例子的图。

图11是表示由第1实施方式的控制装置得到的模拟结果的一个例子的图。