[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件

说明书

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括如下步骤：在制绒后的半导体衬底的正面形成发射极；在半导体衬底的背面形成隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，其中，掺杂多晶硅层包括对应于背面金属化区域的第一掺杂多晶硅层和对应于背面非金属化区域的第二掺杂多晶硅层；对第二掺杂多晶硅层进行激光减薄处理和掺杂修复处理，使得第二掺杂多晶硅层转变为二次掺杂多晶硅层；在二次掺杂多晶硅层和第一掺杂多晶硅层的表面形成背面钝化层及在发射极的表面形成正面钝化层；穿透背面钝化层与第一掺杂多晶硅层形成接触的背面电极及穿透正面钝化层与发射极形成接触的正面电极。本申请制备的太阳能电池能够降低电池背面的吸光影响和激光对膜层的机械损伤。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术

TOPCon电池依靠“隧穿效应”实现后表面钝化，现有的TOPCon电池后表面结构从内向外依次为半导体衬底，隧穿氧化层，掺杂多晶硅层，后表面钝化层，其中，掺杂多晶硅层的膜层厚度是一致的，且厚度较厚，使得背面的掺杂多晶硅层具有较强的吸光效应，使得电池背面的长波相应较差，导致一定的电流损失，使得电池的效率提升有限。

因此，如何降低太阳能电池背面的吸光效应、提升太阳能电池性能成为光伏产业急需解决的问题。

发明内容

为了克服上述缺陷，本申请提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，能够降低激光减薄背面掺杂导电层带来的膜层损伤，还能够提高电池的钝化性能，从而大幅度提升电池性能。

第一方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

在制绒后的半导体衬底的正面形成发射极；

在所述半导体衬底的背面形成隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂多晶硅层包括对应于背面金属化区域的第一掺杂多晶硅层和对应于背面非金属化区域的第二掺杂多晶硅层；

对所述第二掺杂多晶硅层进行激光减薄处理和掺杂修复处理，使得所述第二掺杂多晶硅层转变为二次掺杂多晶硅层；

在所述二次掺杂多晶硅层和所述第一掺杂多晶硅层的表面形成背面钝化层及在所述发射极的表面形成正面钝化层；

穿透所述背面钝化层与所述第一掺杂多晶硅层形成接触的背面电极及穿透所述正面钝化层与所述发射极形成接触的正面电极。

结合第一方面，所述掺杂修复处理的掺杂源包括碳源、氧源和氢源中的至少一种。

结合第一方面，所述掺杂修复处理的掺杂源包括二氧化碳、氧气、甲烷和氢气中的至少一种。

结合第一方面，所述掺杂修复处理的气体流速为100 sccm~1000sccm。

结合第一方面，所述掺杂修复处理的时间为0.5s~10s。

结合第一方面，所述二次掺杂多晶硅层中碳源、氧源和氢源中的至少一种的掺杂浓度为5%~25%。

结合第一方面，所述二次掺杂多晶硅层中所述碳源、氧源和氢源中的至少一种的浓度自所述半导体衬底至所述二次掺杂多晶硅层方向减小。

结合第一方面，所述激光减薄处理和掺杂修复处理同时进行。

第二方面，本申请提供第一方面所述方法制备的太阳能电池，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的正面和背面；

位于所述半导体衬底正面的发射极和正面钝化层；