[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在制绒后的半导体衬底的正面形成发射极；

在所述半导体衬底的背面形成隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂多晶硅层包括对应于背面金属化区域的第一掺杂多晶硅层和对应于背面非金属化区域的第二掺杂多晶硅层；

对所述第二掺杂多晶硅层进行激光减薄处理和掺杂修复处理，使得所述第二掺杂多晶硅层转变为二次掺杂多晶硅层，所述二次掺杂多晶硅层含有掺杂元素，所述掺杂元素包括碳元素、氧元素和氢元素；

在所述二次掺杂多晶硅层和所述第一掺杂多晶硅层的表面形成背面钝化层及在所述发射极的表面形成正面钝化层；

穿透所述背面钝化层与所述第一掺杂多晶硅层形成接触的背面电极及穿透所述正面钝化层与所述发射极形成接触的正面电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掺杂修复处理的掺杂源包括二氧化碳、氧气、甲烷和氢气中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掺杂修复处理的气体流速为100 sccm~1000sccm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掺杂修复处理的时间为0.5s~10s。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述二次掺杂多晶硅层中碳源、氧源和氢源中的至少一种的掺杂浓度为5%~25%。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述二次掺杂多晶硅层中所述碳源、氧源和氢源中的至少一种的浓度自所述半导体衬底至所述二次掺杂多晶硅层方向减小。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光减薄处理和掺杂修复处理同时进行。

8.根据权利要求1~7任一项所述的制备方法制备的太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的正面和背面；

位于所述半导体衬底正面的发射极和正面钝化层；

位于所述半导体衬底背面的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层的表面设置有间隔排列的第一掺杂多晶硅层和二次掺杂多晶硅层，其中，所述第一掺杂多晶硅层对应于背面金属化区域，所述二次掺杂多晶硅层对应于背面非金属化区域，所述第一掺杂多晶硅层的厚度大于二次掺杂多晶硅层的厚度，所述二次掺杂多晶硅层含有掺杂元素，所述掺杂元素包括碳元素、氧元素和氢元素；

位于所述第一掺杂多晶硅层和二次掺杂多晶硅层表面的背面钝化层；

与所述发射极接触的正面电极以及与所述第一掺杂多晶硅层接触的背面电极。

9.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括盖板、封装材料层、太阳能电池串，所述太阳能电池串包括多个根据权利要求1~7任一项所述制备方法制备的太阳能电池。