[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件

说明书

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的正面和背面；位于所述半导体衬底正面的发射极和正面钝化层；位于半导体衬底背面的隧穿层、掺杂导电层和背面钝化层，其中，掺杂导电层包括对应于背面金属化区域的第一掺杂导电层和对应于背面非金属化区域的第二掺杂导电层，第一掺杂导电层的氧含量小于第二掺杂导电层的氧含量；与发射极接触的正面电极以及与第一掺杂导电层接触的背面电极。本申请通过控制第一掺杂导电层的氧含量小于第二掺杂导电层的氧含量，能够降低金属复合中心，提高钝化效果，同时使得金属区域掺杂多晶硅具有更好的导电性，从而提高太阳能电池的转化效率。

技术领域

本申请涉及太阳能光伏组件技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术

TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触（Tunnel OxidePassivated Contact）太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，为电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。

尽管TOPCon电池的转化效率较高，然而由于制备钝化接触结构使得TOPCon电池的制备工艺相对复杂，使得TOPCon电池的制备成本较高，且转化效率提升有限，因此，如何提高TOPCon电池的转化效率，这对制备太阳能电池的制备提出了更高的要求，也成为光伏产业急需解决的问题。

发明内容

为了克服上述缺陷，本申请提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，能够保证金属化区域的钝化性能，降低电池金属接触的同时保证开路电压，从而提高电池效率和性能。

第一方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的正面和背面；

位于所述半导体衬底正面的发射极和正面钝化层；

位于所述半导体衬底背面的隧穿层、掺杂导电层和背面钝化层，其中，所述掺杂导电层包括对应于背面金属化区域的第一掺杂导电层和对应于所述背面非金属化区域的第二掺杂导电层，所述第一掺杂导电层的氧含量小于所述第二掺杂导电层的氧含量；

与所述发射极接触的正面电极以及与所述第一掺杂导电层接触的背面电极。

结合第一方面，所述隧穿层包括对应于背面金属化区域的第一隧穿层和对应于所述背面非金属化区域的第二隧穿层，所述第一隧穿层的氧含量大于所述第二隧穿层的氧含量。

结合第一方面，所述隧穿层包括对应于背面金属化区域的第一隧穿层和对应于所述背面非金属化区域的第二隧穿层，所述第一掺杂导电层与所述第一隧穿层的界面处的氧含量大于所述第二掺杂导电层与所述第二隧穿层的界面处的氧含量。

结合第一方面，所述第一掺杂导电层与所述背面钝化层的界面处的氧含量大于所述第二掺杂导电层与所述背面钝化层界面处的氧含量。

结合第一方面，所述第一掺杂导电层的氧含量小于所述第一隧穿层的氧含量。

结合第一方面，所述第一掺杂导电层中的氧元素的质量占比为19%~22%。

结合第一方面，所述第一隧穿层中的氧元素的质量占比为25%~30%。

结合第一方面，所述第一掺杂导电层的氮含量大于第二掺杂导电层的氮含量。

结合第一方面，所述第一掺杂导电层中的氮元素的质量占比为3%~5%。

结合第一方面，所述掺杂导电层包括碳化硅和多晶硅中的至少一种。

结合第一方面，所述第一掺杂导电层和所述第二掺杂导电层均为磷掺杂层，所述第一掺杂导电层中磷元素的浓度大于所述第二掺杂导电层中磷元素的浓度。