[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的正面和背面；

位于所述半导体衬底正面的发射极和正面钝化层；

位于所述半导体衬底背面的隧穿层、掺杂导电层和背面钝化层，其中，所述掺杂导电层包括对应于背面金属化区域的第一掺杂导电层和对应于背面非金属化区域的第二掺杂导电层，所述第一掺杂导电层的氧含量小于所述第二掺杂导电层的氧含量；所述隧穿层包括对应于背面金属化区域的第一隧穿层和对应于背面非金属化区域的第二隧穿层，所述第一掺杂导电层与所述第一隧穿层的界面处的氧含量大于所述第二掺杂导电层与所述第二隧穿层的界面处的氧含量；

与所述发射极接触的正面电极以及与所述第一掺杂导电层接触的背面电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层的氧含量大于所述第二隧穿层的氧含量。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层与所述背面钝化层的界面处的氧含量大于所述第二掺杂导电层与所述背面钝化层界面处的氧含量。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的氧含量小于所述第一隧穿层的氧含量。

5.根据权利要求1~4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层中的氧元素的质量占比为19%~22%。

6.根据权利要求2或4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层中的氧元素的质量占比为25%~30%。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的氮含量大于所述第二掺杂导电层的氮含量。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层中的氮元素的质量占比为3%~5%。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层包括碳化硅和多晶硅中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层和所述第二掺杂导电层均为磷掺杂层，所述第一掺杂导电层中磷元素的浓度大于所述第二掺杂导电层中磷元素的浓度。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层中磷元素的浓度为1E20 cm^-3~1E21cm^-3，所述第二掺杂导电层中磷元素的浓度为8E19 cm^-3~5E20 cm^-3；和/或所述第一掺杂导电层的方阻为30Ω/sq ~80Ω/sq，所述第二掺杂导电层的方阻为60Ω/sq ~400Ω/sq；和/或第一掺杂导电层的厚度为30 nm ~300nm，所述第二掺杂导电层的厚度为30 nm ~300nm。

12.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在制绒后的半导体衬底的正面形成发射极；

在所述半导体衬底的背面形成隧穿层和导电层，对所述导电层进行掺杂处理和局部激光处理形成掺杂导电层，其中，所述掺杂导电层包括对应于背面金属化区域的第一掺杂导电层和对应于背面非金属化区域的第二掺杂导电层，所述第一掺杂导电层的氧含量小于所述第二掺杂导电层的氧含量；对所述导电层进行掺杂处理和局部激光处理后，所述隧穿层包括对应于背面金属化区域的第一隧穿层和对应于背面非金属化区域的第二隧穿层，其中，所述第一掺杂导电层与所述第一隧穿层的界面处的氧含量大于所述第二掺杂导电层与所述第二隧穿层的界面处的氧含量；

在所述第一掺杂导电层和第二掺杂导电层的表面形成背面钝化层及在所述发射极的表面形成正面钝化层；

穿透所述背面钝化层与所述第一掺杂导电层形成接触的背面电极及穿透所述正面钝化层与所述发射极形成接触的正面电极。