[发明专利]一种超高密度连接系统三维扇出型封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

1)提供支撑基底，于所述支撑基底上形成第一绝缘层及位于所述第一绝缘层中的第一金属焊垫；

2)于所述第一金属焊垫上形成金属柱；

3)提供至少一个第一半导体芯片，所述第一半导体芯片表面形成有第二绝缘层及位于所述第二绝缘层中的第二金属焊垫，并通过混合键合的方式将所述第一金属焊垫和所述第二金属焊垫对应键合、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应键合；

4)形成第一模塑层，所述第一模塑层包覆所述第一半导体芯片和所述金属柱并裸露出所述第一半导体芯片和所述金属柱的表面；

5)在所述第一模塑层表面形成第一重新布线层，所述第一重新布线层包括第一介质层及位于所述第一介质层中且与所述金属柱电连的第一布线金属层；

6)去除所述支撑基底，裸露出所述第一绝缘层和所述第一金属焊垫表面，于所述第一绝缘层表面形成第二重新布线层，所述第二重新布线层包括第二介质层及位于所述第二介质层中且与所述第一金属焊垫电连的第二布线金属层，并在所述第二布线金属层表面植球以形成焊球；

7)于所述第一重新布线层表面贴装至少一个第二半导体芯片，并形成包覆所述第二半导体芯片的第二模塑层。

2.根据权利要求1所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述支撑基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种。

3.根据权利要求1所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述支撑基底和所述第一绝缘层之间还形成有释放层，所述释放层包括胶带层或聚合物层中的一种，通过旋涂工艺将所述分离层涂覆于所述支撑基底表面，然后使用激光固化或紫外光固化或热固化工艺使所述释放层固化成型。

4.根据权利要求1所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一金属焊垫之间的间距小于10um，所述第二金属焊垫之间的间距小于10um。

5.根据权利要求4所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一金属焊垫之间的间距小于5um，所述第二金属焊垫之间的间距小于5um。

6.根据权利要求1所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述金属柱包括铜柱或者钛柱中的一种，形成所述金属柱的方法包括PVD、CVD、溅射、电镀及化学镀中的一种。

7.根据权利要求1所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一金属焊垫和所述第二金属焊垫包括铜焊垫。

8.根据权利要求1所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一模塑层包括环氧基树脂、液态热固性环氧树脂、塑料模塑化合物，形成所述第一模塑层的方法包括压缩成型、转移成型、液封灌封成型、真空层压及旋涂中的一种；所述第二模塑层包括环氧基树脂、液态热固性环氧树脂、塑料模塑化合物，形成所述第二模塑层的方法包括压缩成型、转移成型、液封灌封成型、真空层压及旋涂中的一种。

9.根据权利要求1所述的超高密度连接系统三维扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一布线金属层的材质包括铜、铝、钛金属中的一种，形成所述第一布线金属层的方法包括PVD、CVD、溅射、电镀及化学镀中的一种，所述第一布线金属层包括单层或者多层结构；所述第二布线金属层的材质包括铜、铝、钛金属中的一种，形成所述第二布线金属层的方法包括PVD、CVD、溅射、电镀及化学镀中的一种，所述第二布线金属层包括单层或者多层结构。