[发明专利]低功率静态随机存取存储器

说明书

提供了一种存储器电路、一种图像传感器和一种操作图像传感器的方法。一种用于图像传感器的低功率SRAM(静态RAM)，包括用于提供正电源电压V_P和负电源电压V_N的电压产生电路，其中V_DDV_PV_NV_gnd；多个存储器单元，多个存储器单元耦接至像素阵列中的相应的多个列感测线，多个存储器单元接收差分输入dp和dn；以及被耦接以将V_P和V_N可切换地耦接至多个存储器单元的差分输入dp和dn的格雷计数器。一种操作具有低功率SRAM的图像传感器的方法，包括通过图像传感器获取图像；产生V_P和V_N，使得V_DDV_PV_NV_gnd；在存储器单元的时钟输入处接收像素的列的输出g；以及根据来自格雷计数器的码字将V_P和V_N可切换地耦接至SRAM中的多个存储器单元的差分输入dp和dn。

技术领域

本发明涉及一种存储器电路、一种图像传感器和一种操作图像传感器的方法。

背景技术

图像传感器广泛用于许多设备，从移动设备和相机到门铃和其他传感器。大多数领域的努力已发现包括图像传感器在内的益处，例如，包括汽车、制造、安全系统和医疗应用等。图像传感器的广泛使用导致了技术的不断改进，以满足对更高分辨率和更低功耗的需求。

图像传感器包括像素阵列，使用光电二极管或其他成像传感器获取场景的图像数据，然后将像素值存储到存储器。通常，存储器被布置为存储体中的一行存储器单元。每个存储器单元耦接至阵列中的像素的列以接收和存储数据。

提高帧速率和图像分辨率也会提高数据从像素阵列传输到存储器的速率。通常，数据传输速率受存储器单元的操作频率的影响，这会影响由存储器单元消耗的功率。该功率可以用以下等式表示：

P＝fC_PV_DD² (1)

其中f代表计数器时钟频率，C_P代表金属线电容，并且V_DD代表数字电源电压。随着图像传感器被小型化并集成到越来越多的设备和应用中，降低功耗是高度期望的。

发明内容

在第一方面，一种低功率SRAM包括格雷计数器，以将具有小差分的正和负电源电压可切换地耦接至存储来自像素阵列的像素值的存储器单元的差分输入。

在另一方面，一种图像传感器包括低功率SRAM，该低功率SRAM包括用于提供正电源电压V_P和负电源电压V_N的电压产生电路，其中V_DDV_PV_NV_gnd；多个存储器单元，多个存储器单元耦接至像素阵列中的相应的多个列感测线，多个存储器单元接收差分输入dp和dn；被耦接以将V_P和V_N可切换地耦接至多个存储器单元的差分输入dp和dn的格雷计数器。

在另一方面，一种操作具有低功率SRAM的图像传感器的方法包括通过图像传感器获取图像；产生V_P和V_N，使得V_DDV_PV_NV_gnd；在存储器单元的时钟输入处接收像素的列的输出g；以及根据来自格雷计数器的码字将V_P和V_N可切换地耦接至SRAM中的多个存储器单元的差分输入dp和dn。