[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202210597860.2 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN115513150A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 小川裕贵 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L25/065;H01L25/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明提供一种半导体装置。确保控制芯片的背面的绝缘。半导体装置具备:功率半导体芯片;树脂壳体,其具有配置功率半导体芯片的空间;引线端子,其配置于树脂壳体;控制芯片,其配置于树脂壳体中自与引线端子的上表面垂直的方向俯视时与引线端子不重叠的第1部分,该控制芯片对功率半导体芯片进行控制;以及引线,其具有与引线端子连接的第1端和与控制芯片连接的第2端。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置。
背景技术
公知有一种将包括IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体元件的功率半导体芯片收纳于树脂壳体而成的半导体装置。这种半导体装置还具有对功率半导体芯片进行控制的控制IC(Integrated Circuit:集成电路)等控制芯片和自树脂壳体的内部延伸至外部的引线端子。另外,在专利文献1中公开有一种控制芯片隔着绝缘层配置于引线端子上的半导体装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-239479号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述这样的半导体装置中,要求确保控制芯片的背面的绝缘。
用于解决问题的方案
本发明的优选的实施方式的半导体装置具备:第1半导体芯片;树脂壳体,其具有配置所述第1半导体芯片的空间;引线端子,其配置于所述树脂壳体;第2半导体芯片,其配置于所述树脂壳体中自与所述引线端子的上表面垂直的方向俯视时与所述引线端子不重叠的第1部分,该第2半导体芯片对所述第1半导体芯片进行控制;以及配线,其具有与所述引线端子连接的第1端和与所述第2半导体芯片连接的第2端。
本发明的优选的另一实施方式的半导体装置具备:第1半导体芯片;树脂壳体,其具有配置所述第1半导体芯片的空间;引线端子,其配置于所述树脂壳体;第2半导体芯片,其对所述第1半导体芯片进行控制;以及配线,其具有与所述引线端子连接的第1端和与所述第2半导体芯片连接的第2端,所述引线端子具有第2上表面,该第2上表面相对于连接有所述配线的第1上表面凹陷,所述树脂壳体具有第1部分,该第1部分设于所述引线端子的所述第2上表面上,所述第2半导体芯片以与所述引线端子不接触的方式配置于所述树脂壳体中的所述第1部分。
发明的效果
根据本发明的半导体装置,能够确保控制芯片的背面的绝缘。
附图说明
图1是第1实施方式所涉及的半导体装置的概略图。
图2是用于说明图1所示的贯通孔和基座部分的说明图。
图3是表示沿着图2所示的B1-B2线的半导体装置的截面的一个例子的剖视图。
图4是用于说明第1对比例所涉及的半导体装置的一个例子的说明图。
图5是用于说明图1所示的半导体装置的制造方法的说明图。
图6是用于说明第2实施方式所涉及的半导体装置的一个例子的说明图。
图7是用于说明图6所示的引线端子的一个例子的说明图。
图8是用于说明第3实施方式所涉及的半导体装置的一个例子的说明图。
图9是用于说明图8所示的凹坑和基座部分的说明图。
图10是用于说明第2对比例所涉及的半导体装置的一个例子的说明图。
图11是用于说明第1变形例所涉及的半导体装置的一个例子的说明图。
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