[发明专利]一种异质结双极性发光三极管显示器及其制备方法

说明书

本发明提出了一种异质结双极性发光三极管显示器及其制备方法，包括：多个像素、驱动背板、介质层和公共电极，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为子像素单元R、子像素单元G、子像素单元B；所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；所述子像素单元包括阳极、半导体层、发射极、两个第一金属电极、第二金属电极和LED发光单元。本发明使用半导体工艺制备异质结双极性发光三极管显示器，从而实现高分辨率、高亮度、高对比度、高增益驱动和低响应时间的显示功能。

技术领域

本发明属于三极管显示器领域，特别涉及一种异质结双极性发光三极管显示器及其制备方法。

背景技术

随着科学技术的发展，以智能手机、平板电脑、智能家居、可穿戴电子通讯设备为代表的新兴智能领域蓬勃发展，这也对显示器结构提出了更高要求，例如更轻薄、更高效、更清晰等。同样地，高性能的显示技术离不开电子技术及其核心功率器件的支撑。

垂直型发光三极管凭借其优异的材料特性，可用于实现高画质、超薄显示、大面积等离子显示的器件，突破了传统显示器件的理论性能极限。相较于发光二极管显示器件，垂直型发光三级管有望更大程度地发挥半导体的材料优势，实现高清、高效、超薄的器件特性，因而受到广泛的关注并成为显示器件的重要发展方向。

异质结双极三极管(heterojunction bipolar transistor，HBT)，其发射极与基极区采用不同的半导体材料，以使发射极与基极区间的 PN结构成异质结。与一般的双极型晶体管相比，异质结双极型晶体管在高频信号和基极传输效率上均优于一般的双极型晶体管，能在几百 GHz范围内工作。在现代高速电路、射频系统、手机等领域有着广泛的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异质结双极性发光三极管显示器及其制备方法，使用半导体工艺制备异质结双极性发光三极管显示器，从而实现高分辨率、高亮度、高对比度、高增益驱动和低响应时间的显示功能。

本发明的具体技术方案如下：

一种异质结双极性发光三极管显示器，包括：

多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为子像素单元R、子像素单元G、子像素单元B；

驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；

所述子像素单元包括阳极、半导体层、发射极、两个第一金属电极、第二金属电极和LED发光单元，其中，所述阳极位于驱动背板上，且覆盖至少一个过孔，所述半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述发射极位于所述半导体层远离驱动背板的一侧，两个所述第一金属电极对称设置在所述发射极两侧，且均位于所述半导体层远离驱动背板的一侧，所述第二金属电极位于所述发射极远离驱动背板的一侧，所述LED发光单元位于所述第二金属电极远离驱动背板的一侧；

介质层，所述介质层填充包覆在各子像素单元之间，每个子像素单元中对应的介质层上均开有电极槽，所述子像素单元中的电极槽底部露出部分LED发光单元的上表面；

公共电极，所述公共电极生长在介质层远离驱动背板的一侧，且覆盖电极槽，所述公共电极通过电极槽与LED发光单元的上表面接触。

优选地，还包括玻璃封装层，所述玻璃封装层通过UV胶粘接在公共电极远离驱动背板的一侧，所述UV胶位于玻璃封装层的周边区域。

优选地，所述半导体层为NPN型半导体层。

优选地，所述NPN型半导体层从下至上依次包括n⁺GaN层、n^-GaN层和InGaN层。