[发明专利]一种异质结双极性发光三极管显示器及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，包括：

多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为子像素单元R、子像素单元G、子像素单元B；

驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；

所述子像素单元包括阳极、半导体层、发射极、两个第一金属电极、第二金属电极和LED发光单元，其中，所述阳极位于驱动背板上，且覆盖至少一个过孔，所述半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述发射极位于所述半导体层远离驱动背板的一侧，两个所述第一金属电极对称设置在所述发射极两侧，且均位于所述半导体层远离驱动背板的一侧，所述第二金属电极位于所述发射极远离驱动背板的一侧，所述LED发光单元位于所述第二金属电极远离驱动背板的一侧；

介质层，所述介质层填充包覆在各子像素单元之间，每个子像素单元中对应的介质层上均开有电极槽，所述子像素单元中的电极槽底部露出部分LED发光单元的上表面；

公共电极，所述公共电极生长在介质层远离驱动背板的一侧，且覆盖电极槽，所述公共电极通过电极槽与LED发光单元的上表面接触。

2.根据权利要求1所述异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，还包括玻璃封装层，所述玻璃封装层通过UV胶粘接在公共电极远离驱动背板的一侧，所述UV胶位于玻璃封装层的周边区域。

3.根据权利要求1所述异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，所述半导体层为NPN型半导体层。

4.根据权利要求3所述异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，所述NPN型半导体层从下至上依次包括n⁺GaN层、n^-GaN层和InGaN层。

5.根据权利要求1所述异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，所述LED发光单元包括第一键合金属层、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第二键合金属层，所述第一键合金属层键合生长在第二金属电极远离驱动背板的一侧，所述第一半导体层位于所述第一键合金属层上表面，所述发光层设置在所述第一半导体层上表面；所述第二半导体层设置在所述发光层上表面，所述第二键合金属层位于第二半导体层远离驱动背板的一侧。

6.根据权利要求5所述异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，所述子像素单元R的发光层中为红色多量子阱结构发光材料；所述子像素单元G的发光层中为绿色多量子阱结构发光材料；所述子像素单元B的发光层为蓝色多量子阱结构发光材料。

7.根据权利要求1所述异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，所述介质层为氧化硅介质层。

8.根据权利要求2所述异质结双极性发光三极管显示器，其特征在于，所述发射极为n+AlGaN发射极。

9.一种异质结双极性发光三极管显示器的制备方法，其特征在于，权利要求1-8任一所述的异质结双极性发光三极管显示器的具体制备步骤如下：

S1：在驱动背板上形成若干规则排列的过孔，并在过孔中填充导电材料，随后在驱动背板上表面形成若干阳极，且与过孔上表面接触；

S2：然后在阳极和驱动背板上表面依次生长形成半导体层；

S3：对半导体层进行图形化处理，使得半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧；

S4：在各子像素单元之间填充生长介质层，使得介质层的上表面与半导体层上表面齐平；

S5：采用磁控溅射技术在半导体层上表面镀覆发射极和第一金属电极，分别对发射极和第一金属电极进行图形化处理和CMP磨平处理；

S6：继续采用磁控溅射技术在发射极上表面镀覆第二金属电极，并进行图形化处理，随后继续填充介质层，并对其进行CMP磨平处理，使得介质层与第二金属电极上表面齐平；

S7：采用巨量转移和真空键合技术，在第二金属电极远离驱动背板的一侧与LED发光单元键合连接，并进行磨平处理；

S8：继续在各子像素单元之间填充生长介质层，并对其进行图形化处理，在每个子像素单元中对应形成一个电极槽，随后在介质层上表面生长公共电极，且公共电极通过电极槽与LED发光单元上表面接触，最后采用UV胶将玻璃封装层粘接在公共电极上表面。