[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

说明书

本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。基板处理装置包括：腔室，其具有内部空间；等离子体源，其配置为施加电场；第一气体供应单元，其配置为将第一工艺气体供应至等离子体源将电场施加到的区域，当第一工艺气体在第一压力气氛下施加有第一强度的电场时，第一工艺气体被激发成等离子体；支承单元，其设置在内部空间中且配置为支承待处理的基板；和无电极灯，其设置在内部空间中、在基板的上方，并且其中无电极灯包括：电场传输壳体，在该电场传输壳体中具有放电空间；和放电材料，其包括发光材料且填充放电空间，壳体的放电空间被加压至第二压力，并且放电材料当在第二压力下施加有比第一强度高的第二强度的电场时放电并发光。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年5月25日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0066569的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。

背景技术

等离子体可以用于基板的处理工艺。例如，等离子体可以用于干式清洁工艺、灰化工艺或蚀刻工艺。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(Radio Frequency，RF)电磁场产生，并且等离子体是指由离子、电子和自由基等组成的离子化气体状态。使用等离子体的干式清洁工艺、灰化工艺或蚀刻工艺通过使等离子体中包含的离子或自由基粒子与基板碰撞来执行。

此外，执行热处理以提高半导体晶圆表面的均匀性和膜质量，或去除基板表面处理的副产物。因此，半导体制造设施包括两种类型的腔室：用于等离子体处理的腔室和用于热处理的腔室。

然而，当用于等离子体处理的腔室和用于热处理的腔室分开时，设施的占地面积增加，从而导致单位价格和空间的晶圆(wafer per price and space，WPPS)降低，并且在腔室之间的传送时间导致单位设备每小时产量(Unit Per Equipment Hour，UPEH)降低。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法用于有效地处理基板。

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法能够通过能够在一个腔室中进行等离子体处理和热处理，减少设施的占地面积，从而增加WPPS(wafer per price and space，单位价格和空间的晶圆)，并且避免在腔室之间的传送时间，从而增加UPEH(单位设备每小时产量)。

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法能够利用一个电源选择性地将工艺气体激发成等离子体、和/或供应用于去除副产物的热能。

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法使用无电极灯(electrodeless lamp)，当与使用另一灯相比时，该无电极灯能够增加更换周期。

本发明构思的技术目的不限于上述目的，且对本领域技术人员而言，其他未提及的技术目的通过以下描述将变得显而易见。