[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

腔室，所述腔室具有内部空间；

等离子体源，所述等离子体源配置为施加电场；

第一气体供应单元，所述第一气体供应单元配置为将第一工艺气体供应至所述等离子体源将所述电场施加到的区域，当所述第一工艺气体在第一压力气氛下施加有第一强度的电场时，所述第一工艺气体被激发成等离子体；

支承单元，所述支承单元设置在所述内部空间中、且配置为支承待处理的基板；以及

无电极灯，所述无电极灯设置在所述内部空间中、在所述基板的上方，并且

其中，所述无电极灯包括：

电场传输壳体，在所述电场传输壳体中具有放电空间；以及

放电材料，所述放电材料包括发光材料且填充所述放电空间，所述壳体的所述放电空间被加压至第二压力，并且所述放电材料当在第二压力下施加有第二强度的电场时放电且发光，所述第二强度比第一强度更高。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述发光材料包括含硫材料、金属硫化物、金属卤化物、汞或荧光材料。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述放电材料是惰性气体和所述发光材料的混合气体。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第二压力比所述第一压力更高。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体的所述放电空间具有第一容积，并且所述第一容积的大小与由所述等离子源施加的所述第二强度的电场成比例。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体包括电介质。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体包括石英或Y₂O₃。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括板状的离子阻挡器，所述离子阻挡器将所述腔室的所述内部空间划分为第一空间和第二空间，所述第二空间在所述第一空间的下方，所述离子阻挡器具有多个通孔且接地，并且

其中，所述无电极灯被耦合至所述离子阻挡器。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述第一气体供应单元将所述第一工艺气体供应至所述第一空间。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括第二气体供应单元，所述第二气体供应单元配置为将第二工艺气体供应至所述第二空间，并且其中，所述等离子体源被配置为将所述电场供应至所述第一空间。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺气体是包含氟的气体。

12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述第二工艺气体是包含氢的气体。

13.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述无电极灯设置在所述离子阻挡器的中心处。

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述无电极灯设置为多个。

15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体的所述放电空间的侧壁和顶壁包括反射涂层。