[发明专利]半导体结构及其形成方法、存储器

说明书

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。该形成方法包括：提供衬底，衬底包括浅沟槽隔离结构及浅沟槽隔离结构分隔出的第一栅极区和第二栅极区，第一栅极区包括第一沟道区，第二栅极区包括第二沟道区；在衬底的表面形成栅极材料层，栅极材料层包括中间区域和边缘区域，中间区域在衬底上的正投影至少覆盖第一沟道区和第二沟道区之间的区域，边缘区域在衬底上的正投影至少覆盖第一沟道区和第二沟道区；去除位于中间区域的栅极材料层，并保留边缘区域的栅极材料层，以在第一栅极区形成第一栅极结构，并在第二栅极区形成第二栅极结构。本公开的形成方法可减少栅极线宽不稳定的情况，提高栅极结构的尺寸均匀性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。栅极结构作为DRAM的核心部件，对器件的电性能有着至关重要的作用。

随着半导体技术的不断推进，栅极结构相关空间尺寸的微缩对节省成本、创造收益有极大帮助，但是栅极结构的尺寸与其准确性及稳定性呈正相关特性，如何取得栅极结构尺寸微缩的同时，确保其性能不受影响、甚至更好，成为了研究热点。然而，随着尺寸微缩，栅极结构蚀刻难度增大，且不同栅极结构的蚀刻稳定性较差。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可可减少栅极线宽不稳定的情况，提高栅极结构的尺寸均匀性。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括浅沟槽隔离结构及所述浅沟槽隔离结构分隔出的第一栅极区和第二栅极区，所述第一栅极区包括第一沟道区，所述第二栅极区包括第二沟道区；

在所述衬底的表面形成栅极材料层，所述栅极材料层包括邻接分布的中间区域和边缘区域，所述中间区域在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的区域，所述边缘区域在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第一沟道区和所述第二沟道区；

去除位于所述中间区域的所述栅极材料层，并保留所述边缘区域的所述栅极材料层，以在所述第一栅极区形成第一栅极结构，并在所述第二栅极区形成第二栅极结构。

在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：

在所述第一栅极结构的顶部、所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的侧壁、所述第二栅极结构的顶部、所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的侧壁形成第一绝缘层；

在位于所述第一栅极结构顶部的所述第一绝缘层的表面、所述第一栅极结构靠近所述第二栅极结构的侧壁、位于所述第二栅极结构顶部的所述第一绝缘层的表面及所述第二栅极结构靠近所述第一栅极结构的侧壁形成第二绝缘层。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一栅极结构的顶部、所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的侧壁、所述第二栅极结构的顶部、所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的侧壁形成第一绝缘层，包括：

在所述衬底的表面形成栅极材料层之后，在所述栅极材料层的表面及侧壁形成第一绝缘材料层；

所述去除位于所述中间区域的所述栅极材料层，并保留所述边缘区域的所述栅极材料层之前，还包括：

去除所述中间区域的所述第一绝缘材料层，并保留所述边缘区域的所述第一绝缘材料层。