[发明专利]半导体结构及其形成方法、存储器

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括浅沟槽隔离结构及所述浅沟槽隔离结构分隔出的第一栅极区和第二栅极区，所述第一栅极区包括第一沟道区，所述第二栅极区包括第二沟道区；

在所述衬底的表面形成栅极材料层，所述栅极材料层包括邻接分布的中间区域和边缘区域，所述中间区域在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的区域，所述边缘区域在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第一沟道区和所述第二沟道区；

去除位于所述中间区域的所述栅极材料层，并保留所述边缘区域的所述栅极材料层，以在所述第一栅极区形成第一栅极结构，并在所述第二栅极区形成第二栅极结构。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：

在所述第一栅极结构的顶部、所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的侧壁、所述第二栅极结构的顶部、所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的侧壁形成第一绝缘层；

在位于所述第一栅极结构顶部的所述第一绝缘层的表面、所述第一栅极结构靠近所述第二栅极结构的侧壁、位于所述第二栅极结构顶部的所述第一绝缘层的表面及所述第二栅极结构靠近所述第一栅极结构的侧壁形成第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述第一栅极结构的顶部、所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的侧壁、所述第二栅极结构的顶部、所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的侧壁形成第一绝缘层，包括：

在所述衬底的表面形成栅极材料层之后，在所述栅极材料层的表面及侧壁形成第一绝缘材料层；

所述去除位于所述中间区域的所述栅极材料层，并保留所述边缘区域的所述栅极材料层之前，还包括：

去除所述中间区域的所述第一绝缘材料层，并保留所述边缘区域的所述第一绝缘材料层。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，去除所述中间区域的所述第一绝缘材料层及去除所述中间区域的所述栅极材料层，包括：

在所述衬底表面形成支撑层，所述支撑层与位于所述栅极材料层的侧壁的所述第一绝缘材料层接触；

在所述支撑层和所述第一绝缘材料层共同构成的结构的表面形成掩膜层；

在所述掩膜层的表面形成光阻层；

对所述光阻层进行曝光并显影，以形成显影区，所述显影区露出所述掩膜层；

在所述显影区对所述掩膜层进行蚀刻，以形成掩膜图案，所述掩膜图案覆盖所述边缘区域的所述第一绝缘材料层，并暴露出所述中间区域的所述第一绝缘材料层；

以所述衬底为蚀刻停止层，并以所述掩膜层为掩膜对所述第一绝缘材料层及所述栅极材料层进行蚀刻。

5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在位于所述第一栅极结构顶部的所述第一绝缘层的表面、所述第一栅极结构靠近所述第二栅极结构的侧壁、位于所述第二栅极结构顶部的所述第一绝缘层的表面及所述第二栅极结构靠近所述第一栅极结构的侧壁形成第二绝缘层，包括：

在所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第一绝缘层及所述衬底共同构成的结构的表面形成第二绝缘材料层；

去除覆盖于所述衬底表面的所述第二绝缘材料层，且位于所述第一栅极结构的侧壁及所述第二栅极结构的侧壁的所述第二绝缘材料层与所述衬底表面接触。

6.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中至少一个包括依次层堆叠的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层，所述第一隔离层和所述第三隔离层的材料相同。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述栅极材料层在所述衬底上的正投影为矩形；所述边缘区域包括在所述衬底上的正投影与所述第一沟道区重合的第一边缘区，以及在所述衬底上的正投影与所述第二沟道区重合的第二边缘区。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述边缘区域还包括在所述衬底上的正投影覆盖所述浅沟槽隔离结构，且分别连接于所述第一边缘区和所述第二边缘区之间的第三边缘区和第四边缘区，所述第三边缘区和所述第四边缘区间隔分布。