[发明专利]一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺

权利要求书

1.一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤A：将单色光LED晶粒(6)阵列排布在载体(1)上，同时在PCB板(2)的焊盘待焊接区域涂刷焊锡膏；

步骤B：将载体(1)上单色光LED晶粒(6)与PCB板(2)的焊盘待焊接区域精准对位，进行激光焊接，制得单色光显示板；

步骤C：将单色光显示板上单色光LED晶粒(6)进行RGB三色光喷涂，固化，最后干燥，制得RGB三色光显示板；

所述步骤C中，RGB三色光喷涂具体是将色光喷涂液精准喷涂在单色光LED晶粒(6)的发光面；

所述色光喷涂液由包括如下重量份的原料制得：

每重量份所述丙烯酸树脂是由5-8重量份丙烯酸丁酯、2-6重量份甲基丙烯酸甲酯、3-4重量份甲基丙烯酸、1-2重量份苯乙烯、0.5-1.5重量份引发剂和15-20重量份二甲苯制得；

所述色光喷涂液通过如下步骤制得：

将六甲基二硅氮烷和乙烯基三乙氧基硅烷加入至一半用量的溶剂中，分散均匀，然后边搅拌边加入色光材料，色光材料加入完毕后在35-40℃下搅拌20-30min，制得混合料A；

边搅拌混合料A，边加入硅树脂，硅树脂加入完毕后在35-40℃下搅拌15-20min，然后在35-40℃下保温20-25min，制得混合料B；

将混合料B加入至二甲苯中，分散均匀，然后加入丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸、苯乙烯，分散均匀，升温至80-85℃，再边搅拌边加入引发剂，引发剂加入完毕后，在82-85℃下保温搅拌10-15min，降温至室温，制得混合料C；

将增粘剂、流平剂加入至剩余的溶剂中，分散均匀后加入至混合料C中，搅拌30-40min，出料；喷涂使用前添加催化剂，分散均匀，制得色光喷涂液。

2.根据权利要求1所述的一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：喷涂量为8-12μg/μm²。

3.根据权利要求1所述的一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：所述硅树脂是由甲基/苯基有机硅树脂与聚硅氮烷树脂以重量比为1:2-4混合制得。

4.根据权利要求1所述的一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：所述引发剂为过氧化二苯甲酰。

5.根据权利要求1所述的一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：所述色光材料为量子点材料，所述量子点材料为CdS量子点、CdSe量子点、CdTe量子点、ZnSe量子点、PbS量子点、PbSe量子点、InP量子点、InAs量子点、ZnCdS/ZnS量子点、

CdSe/ZnS量子点、CdTe/CdSe/ZnS量子点中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：所述增粘剂为萜烯树脂，所述催化剂为乙二胺和/或三乙胺，所述流平剂为聚二甲基硅氧烷和/或聚甲基苯基硅氧烷，所述溶剂为乙醚、己烷、甲苯中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：所述步骤A中，单色光LED晶粒(6)以等距方式阵列排布在载体(1)上，所述载体(1)为玻璃载板或透明膜。

8.根据权利要求1所述的一种LED晶粒的巨量转移及巨量焊接工艺，其特征在于：所述步骤B中，激光焊接的焊接温度为170-290℃，焊接时间为1-4s；所述步骤C中，RGB三色光喷涂后的干燥温度为38-50℃。