[发明专利]一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法和系统在审

专利信息
申请号: 202210564072.3 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114822678A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 陈焕君;牟炳叡;王自鑫;胡炳翔;杨锐佳 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G06T7/00;G06N3/08;G06N3/04
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 刘俊
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 全自动 dram 存储 单元 读写 功能 测试 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种全自动DRAM存储单元读写功能测试方法,其特征在于,包括以下步骤:

采集待测芯片的丝印图像,采用ResNet神经网络对所述丝印图像进行识别,得到丝印信息;

根据所述丝印信息,从预设的数据库中读取与所述丝印信息匹配的读写功能测试方法,并将所述读写功能测试方法传输至ATE设备;

将ATE设备与待测芯片电连接,所述ATE设备根据接收的读写功能测试方法对待测芯片进行读写功能测试。

2.根据权利要求1所述的全自动DRAM存储单元读写功能测试方法,其特征在于,所述ATE设备根据接收的读写功能测试方法对待测芯片进行读写功能测试的步骤包括:

所述ATE设备根据接收的读写功能测试方法,分别设定施加于待测芯片的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平和负载电流的值;设定待测芯片的上电顺序;设定待测芯片的控制信号、地址信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配;

依次调用预设的测试图形,向待测芯片写入数据,并读取所述待测芯片的输出数据;

将所述待测芯片的输出数据与对应的期望读出数据进行比对验证,若比对一致,则判断待测芯片的读写功能正常;否则判断待测芯片的读写功能异常。

3.根据权利要求2所述的全自动DRAM存储单元读写功能测试方法,其特征在于,所述预设的测试图形包括“0”图形、写全“1”读全“1”图形、行走图形、棋盘格图形中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的全自动DRAM存储单元读写功能测试方法,其特征在于,还包括以下步骤:根据比对验证将待测芯片进行分类,将判断为读写功能正常的芯片通过传送带运输至第一分类,将判断为读写功能异常的芯片通过传送带运输至第二分类,并对芯片的正常率进行统计。

5.根据权利要求1~4任一项所述的全自动DRAM存储单元读写功能测试方法,其特征在于,根据所述丝印信息,从预设的数据库中读取与所述丝印信息匹配的读写功能测试方法的步骤包括:

所述丝印信息包括芯片型号;

根据所述丝印信息中的芯片型号,从预设的数据库中调取带所述芯片型号标签的读写功能测试方法,并传输至ATE设备中。

6.一种全自动DRAM存储单元读写功能测试系统,其特征在于,应用权利要求1~5任一项所述的方法;其中所述系统包括:

图像采集模块,用于采集待测芯片的丝印图像;

识别模块,用于采用ResNet神经网络对待测芯片的丝印图像进行识别,输出待测芯片的丝印信息;

读写功能测试方法读取模块,其中包括数据库,所述数据库中预设有带芯片型号标签的读写功能测试方法;

所述读写功能测试方法读取模块用于根据丝印信息,从所述数据库中读取与所述丝印信息匹配的读写功能测试方法;

ATE设备,用于根据接收的读写功能测试方法对待测芯片进行读写功能测试;

传送带,用于在动力机构的作用下将待测芯片依次传送经过所述图像采集模块和ATE设备。

7.根据权利要求6所述的全自动DRAM存储单元读写功能测试系统,其特征在于,所述系统还包括静电屏蔽罩,所述静电屏蔽罩用于当待测芯片传送至ATE设备位置时,罩设于所述ATE设备和待测芯片外周。

8.根据权利要求6所述的全自动DRAM存储单元读写功能测试系统,其特征在于,所述系统还包括传送控制模块,所述传送控制模块与所述ATE设备和动力机构连接;所述传送控制模块通过控制动力机构的启停,控制传送带的启停和传送速度;

当传送带将待测芯片传送至ATE设备位置时,所述传送控制模块控制传送带停止工作;

当ATE设备完成读写功能测试后,所述ATE设备向传送控制模块发送测试结果信号,所述传送控制模块根据测试结果信号控制传送带将待测芯片传送至第一分类口或第二分类口。

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