[发明专利]一种新型LED芯片封装结构及其制备方法

说明书

本发明提出了一种新型LED芯片封装结构及其制备方法，包括基板、围坝、LED芯片、扩散粉胶层、荧光粉胶层、白色硅胶层和透明硅胶层，围坝围绕基板外周成型设置，形成封装腔体，基板上一体成型有一凸起台阶，LED芯片安装在凸起台阶上，LED芯片通过导线分别与基板的正极和负极导电连接，基板和LED芯片上表面覆盖有扩散粉胶层，扩散粉胶层上表面覆盖有荧光粉胶层，白色硅胶层填充在封装腔体内，且与LED芯片上方的荧光粉胶层齐平，透明硅胶层填充在封装腔体内，且与围坝顶面齐平。本发明解决了荧光粉分布不均匀，LED芯片发光不均匀，封装体结构缺陷等问题，满足人们对发光二极管的高一致性的要求。

技术领域

本发明属于LED封装技术领域，特别涉及一种新型LED芯片封装结构及其制备方法。

背景技术

随着发光二极管在生活中的广泛运用，人们对发光二极管的要求不仅仅局限于亮度高，功耗低这些简单要求。而是逐步对发光二极管的品质提出了更高要求，特别是对白光的一致性要求。

然而传统的发光二极管通常利用蓝光芯片和荧光粉的简单混合激发白光。由于工艺条件的局限性，存在如下技术缺陷：

（1）荧光粉无法均匀分布在蓝光芯片上；

（2）蓝光芯片本身由于电极的遮挡发光不均匀；

（3）蓝光从芯片侧面发出，不能均匀的激发荧光粉；

上述技术缺陷导致在蓝光芯片的各位置，蓝光激发荧光粉所产生的白光是不均匀的。此外，封装体一些结构设计的缺陷，导致蓝光芯片发出的白光在经过这些区域时容易产生色散，使得白光分离出蓝黄光谱。因此很难获得高质量的均质白光光源。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型LED芯片封装结构及其制备方法，解决了荧光粉分布不均匀，LED芯片发光不均匀，封装体结构缺陷等问题，满足人们对发光二极管的高一致性的要求。

本发明的具体技术方案如下：

一种新型LED芯片封装结构，包括基板、围坝、LED芯片、扩散粉胶层、荧光粉胶层、白色硅胶层和透明硅胶层，所述围坝围绕基板外周成型设置，形成封装腔体，所述基板上一体成型有一凸起台阶，所述LED芯片安装在凸起台阶上，所述LED芯片的正负极焊板通过导线分别与基板的正极和负极导电连接，所述基板和LED芯片上表面覆盖有扩散粉胶层，所述扩散粉胶层上表面覆盖有荧光粉胶层，所述白色硅胶层填充在封装腔体内，且与所述LED芯片上方的荧光粉胶层齐平，所述透明硅胶层填充在封装腔体内，且与围坝顶面齐平。

优选地，所述围坝的内侧面为分段式斜面结构，包括第一斜面段和第二斜面段，所述第一斜面段的底部连接基板，所述第二斜面段的一侧与围坝2上表面相连，另一侧与第一斜面段相连。

优选地，所述第一斜面段与水平面的倾斜夹角α的取值范围为90＜α≤130°。

优选地，所述第二斜面段与水平面的倾斜夹角β的取值范围为130＜β＜180°,且所述第二斜面段的斜面的倾斜夹角β与LED芯片的发光角度相同。

优选地，所述基板包括正极金属板和负极金属板，所述正极金属板和负极金属板之间间隔绝缘槽。

优选地，所述围坝的高度为0.1-2mm。

优选地，所述第二斜面段的斜面长度为0.05-0.3mm。

优选地，所述扩散粉胶层和荧光粉胶层的厚度范围均为0.01-0.15mm。

一种新型LED芯片封装结构的制备方法，其特征在于，权利要求1-8任一所述LED芯片封装结构的具体制备步骤如下：

S1：利用冲压或蚀刻的方式，在基板上形成一个凸起台阶；

S2：在基板四周注塑成型围坝，形成封装腔体，所述围坝的内侧壁为分段式斜面结构；