[发明专利]一种新型LED芯片封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种新型LED芯片封装结构，其特征在于，包括基板、围坝、LED芯片、扩散粉胶层、荧光粉胶层、白色硅胶层和透明硅胶层，所述围坝围绕基板外周成型设置，形成封装腔体，所述基板上一体成型有一凸起台阶，所述LED芯片安装在凸起台阶上，所述LED芯片的正负极焊板通过导线分别与基板的正极和负极导电连接，所述基板和LED芯片上表面覆盖有扩散粉胶层，所述扩散粉胶层上表面覆盖有荧光粉胶层，所述白色硅胶层填充在封装腔体内，且与所述LED芯片上方的荧光粉胶层齐平，所述透明硅胶层填充在封装腔体内，且与围坝顶面齐平。

2.根据权利要求1所述的新型LED芯片封装结构，其特征在于，所述围坝的内侧面为分段式斜面结构，包括第一斜面段和第二斜面段，所述第一斜面段的底部连接基板，所述第二斜面段的一侧与围坝2上表面相连，另一侧与第一斜面段相连。

3.根据权利要求2所述的新型LED芯片封装结构，其特征在于，所述第一斜面段与水平面的倾斜夹角α的取值范围为90＜α≤130°。

4.根据权利要求2所述的新型LED芯片封装结构，其特征在于，所述第二斜面段与水平面的倾斜夹角β的取值范围为130＜β＜180°,且所述第二斜面段的斜面的倾斜夹角β与LED芯片的发光角度相同。

5.根据权利要求1所述的新型LED芯片封装结构，其特征在于，所述基板包括正极金属板和负极金属板，所述正极金属板和负极金属板之间间隔绝缘槽。

6.根据权利要求1所述的新型LED芯片封装结构，其特征在于，所述围坝的高度为0.1-2mm。

7.根据权利要求1所述的新型LED芯片封装结构，其特征在于，所述第二斜面段的斜面长度为0.05-0.3mm。

8.根据权利要求1所述的新型LED芯片封装结构，其特征在于，所述扩散粉胶层和荧光粉胶层的厚度范围均为0.01-0.15mm。

9.一种新型LED芯片封装结构的制备方法，其特征在于，权利要求1-8任一所述LED芯片封装结构的具体制备步骤如下：

S1：利用冲压或蚀刻的方式，在基板上形成一个凸起台阶；

S2：在基板四周注塑成型围坝，形成封装腔体，所述围坝的内侧壁为分段式斜面结构；

S3：利用固晶胶将LED芯片固定在凸起台阶上，其中，LED芯片的侧面与凸起台阶的侧面齐平，并利用导线将LED芯片的正负极焊盘分别连接到基板1的正负极处；

S4：将扩散粉末、硅胶和硅胶溶剂按比例混合，并将混合好的扩散粉硅胶溶液喷涂在封装腔体内，使其覆盖封装腔体内底部的基板以及LED芯片的上表面，并使用烤箱烘烤至硅胶溶剂挥发，硅胶固化后使得扩散粉末均匀的胶固在LED芯片以及基板上表面，形成扩散粉胶层；

S5：将荧光粉、硅胶和硅胶溶剂按比例混合，并将混合好的荧光粉硅胶溶液均匀地喷涂在扩散粉胶层表面，并烘烤至硅胶溶剂挥发，硅胶固化后使荧光粉均匀地胶固在扩散粉胶层上表面，形成荧光粉胶层；

S6：将不透明的白色硅胶填充在底部的荧光粉胶层上，并使其液面与LED芯片上方的荧光粉胶层齐平，烘烤固化后形成白色硅胶层；

S7：将透明硅胶填充在封装腔体内，覆盖白色硅胶层以及LED芯片上方的荧光粉胶层，并使其液面与围坝上表面齐平，随后使用烤箱烘烤固化后形成透明硅胶层，即形成完整的LED芯片封装结构。

10.根据权利要求9所述的一种新型LED芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述S4中，扩散粉硅胶溶液由扩散粉末、硅胶和硅胶溶剂按重量比1:0.1:0.2混合制得；所述S5中，荧光粉硅胶溶液由荧光粉、硅胶和硅胶溶剂按重量比1:0.1:0.2混合制得。