[发明专利]一种浅沟槽的制备方法

权利要求书

1.一种浅沟槽的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S21：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有氧化层和图形化的硬掩模层，所述图形化的硬掩模层中具有第一宽度的第一凹槽，所述第一凹槽的槽底暴露出所述氧化层；

S22：在所述图形化的硬掩模层上以及所述第一凹槽的内壁上通过LPCVD工艺形成氧化物膜层；

S23：刻蚀所述氧化物膜层，以在所述第一凹槽的侧壁上形成氧化物侧墙，并刻蚀所述第一凹槽下方的氧化层，以暴露出所述半导体衬底，同时形成第二宽度的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽连通；

S24：以所述氧化物侧墙为掩模，刻蚀所述半导体衬底，以在所述第二凹槽底部形成第三凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽连通且构成浅沟槽；

S25：去除所述氧化物侧墙以及所述氧化物侧墙覆盖的所述氧化层，以扩大所述第二凹槽的宽度；以及

S26：圆化处理所述第三凹槽的角部轮廓。

2.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，S21具体包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有氧化层、硬掩模层和图形化的光刻胶层；

以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层，以在所述硬掩模层中形成第一宽度的第一凹槽，所述第一凹槽的槽底暴露出所述氧化层；以及

去除剩余的所述光刻胶层。

3.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，S23具体包括：

刻蚀所述氧化物膜层，以去除所述硬掩模层上表面的氧化物膜层，以及所述第一凹槽底壁上的大部分氧化物膜层，并在所述第一凹槽的侧壁上形成氧化物侧墙；暴露出所述半导体衬底，同时形成第二宽度的第二凹槽。

4.如权利要求3所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，所述第二宽度小于第一宽度，且所述第二宽度与第一宽度的宽度差为所述氧化物侧墙厚度的两倍。

5.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，S24具体包括：

以所述氧化物侧墙为掩模，并以清洁模式方式刻蚀所述半导体衬底，以在所述第二凹槽的底部形成第二宽度的第三凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽连通且构成浅沟槽，且所述第一凹槽的宽度、第二凹槽的宽度和第三凹槽的宽度均相同。

6.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，S25中，扩大宽度之后的所述第二凹槽的宽度为第一宽度。

7.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，S26具体包括：

以图形化的硬掩模层为掩模，同时圆化处理所述第三凹槽开口侧的直角轮廓，以及第三凹槽底壁侧的直角轮廓。

8.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，所述浅沟槽的肩宽为所述氧化物侧墙的厚度。

9.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅层，所述硬掩模层为氮化硅层。

10.如权利要求1所述的浅沟槽的制备方法，其特征在于，所述氧化物膜层为二氧化硅膜层。