[发明专利]半导体结构及其形成方法、存储器

说明书

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：提供衬底；在衬底一侧形成第一有源层，第一有源层包括多个间隔分布的有源区；在每个有源区中形成第一字线；在第一有源层的顶部形成第一位线和导电接触塞，第一位线、导电接触塞以及第一字线之间相互绝缘；在第一有源层、第一位线及导电接触塞背离衬底的一侧形成栅介质层；在栅介质层背离衬底的一侧形成第二有源层；在第二有源层背离衬底的一侧形成第二位线和第二字线，第二位线和第二字线分别与第二有源层接触连接。本公开的形成方法可减少漏电，减小功耗。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。现有DRAM主要包括晶体管和电容器，然而，在数据存储过程中，电容器电荷保留时间较短，需要不断的刷新电容器中的电荷以避免数据丢失，器件功耗及漏电流较大。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可减少漏电，减小功耗。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧形成第一有源层，所述第一有源层包括多个间隔分布的有源区；

在每个所述有源区中形成第一字线；

在所述第一有源层的顶部形成第一位线和导电接触塞，所述第一位线、所述导电接触塞以及所述第一字线之间相互绝缘；

在所述第一有源层、所述第一位线及所述导电接触塞背离所述衬底的一侧形成栅介质层；

在所述栅介质层背离所述衬底的一侧形成第二有源层；

在所述第二有源层背离所述衬底的一侧形成第二位线和第二字线，所述第二位线和所述第二字线分别与所述第二有源层接触连接。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述衬底一侧形成所述第一有源层，包括：

在所述衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成半导体层；

蚀刻所述半导体层，以在所述半导体层中形成多个间隔分布的隔离沟槽；多个所述隔离沟槽将所述半导体层分隔为多个所述有源区。

在本公开的一种示例性实施例中，在每个所述有源区中形成所述第一字线，包括：

形成多个间隔排布且沿第一方向延伸的第一字线沟槽，每一所述第一字线沟槽穿过多个所述有源区；

在所述第一字线沟槽的侧壁和底部形成第一介质层；

在形成有所述第一介质层的所述第一字线沟槽中填充导电材料，以形成所述第一字线。

在本公开的一种示例性实施例中，形成所述第一位线，包括：

形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一有源层以及所述第一字线的表面；

对所述第二绝缘层进行图案化处理，以形成多个间隔排布的沿第二方向延伸的第一位线沟槽，每一所述第一位线沟槽暴露出多个所述有源区的第一端，所述第二方向与所述第一方向相交；

在所述第一位线沟槽内形成所述第一位线。