[发明专利]半导体结构及其形成方法、存储器

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧形成第一有源层，所述第一有源层包括多个间隔分布的有源区；

在每个所述有源区中形成第一字线；

在所述第一有源层的顶部形成第一位线和导电接触塞，所述第一位线、所述导电接触塞以及所述第一字线之间相互绝缘；

在所述第一有源层、所述第一位线及所述导电接触塞背离所述衬底的一侧形成栅介质层；

在所述栅介质层背离所述衬底的一侧形成第二有源层；

在所述第二有源层背离所述衬底的一侧形成第二位线和第二字线，所述第二位线和所述第二字线分别与所述第二有源层接触连接。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述衬底一侧形成所述第一有源层，包括：

在所述衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成半导体层；

蚀刻所述半导体层，以在所述半导体层中形成多个间隔分布的隔离沟槽；多个所述隔离沟槽将所述半导体层分隔为多个所述有源区。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在每个所述有源区中形成所述第一字线，包括：

形成多个间隔排布且沿第一方向延伸的第一字线沟槽，每一所述第一字线沟槽穿过多个所述有源区；

在所述第一字线沟槽的侧壁和底部形成第一介质层；

在形成有所述第一介质层的所述第一字线沟槽中填充导电材料，以形成所述第一字线。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一位线，包括：

形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一有源层以及所述第一字线的表面；

对所述第二绝缘层进行图案化处理，以形成多个间隔排布的沿第二方向延伸的第一位线沟槽，每一所述第一位线沟槽暴露出多个所述有源区的第一端，所述第二方向与所述第一方向相交；

在所述第一位线沟槽内形成所述第一位线。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述导电接触塞，包括：

形成第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第一位线和所述第二绝缘层的表面；

蚀刻所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，以形成多个导电接触孔，每个所述导电接触孔露出所述有源区的第二端，所述第一端和所述第二端分别位于所述第一字线的两侧；

在所述导电接触孔内形成导电接触塞。

6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成所述栅介质层，包括：

在所述导电接触塞与所述第三绝缘层共同构成的结构的表面沉积第二介质层，以形成所述栅介质层。

7.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二位线和所述第二字线，包括：

在所述第二有源层背离所述衬底的一侧形成第四绝缘层；

以所述第二有源层为蚀刻停止层蚀刻所述第四绝缘层，以在所述第四绝缘层中形成多个间隔分布的沿所述第一方向延伸的第二位线沟槽，以及多个间隔分布的沿所述第一方向延伸的第二字线沟槽；各所述第二位线沟槽在所述衬底上的正投影与所述有源区在所述衬底的正投影交叠，各所述第二字线沟槽在所述衬底上的正投影与所述有源区在所述衬底的正投影无交叠；

在各所述第二位线沟槽中分别形成第二位线，在各所述第二字线沟槽中分别形成第二字线。