[发明专利]三维存储器、其制作方法及具有其的存储系统

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有堆叠体，所述堆叠体包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的多层牺牲层和多层隔离层，所述堆叠体的至少一端具有台阶结构，所述台阶结构远离所述衬底的一侧具有多个第一台阶面，每层所述牺牲层具有远离所述衬底的第一表面，所述第一台阶面一一对应地位于所述第一表面中；

在所述堆叠体中除所述台阶结构以外的区域形成贯穿至所述衬底的沟道阵列，并形成穿过各所述第一台阶面至所述衬底的伪沟道孔；

在所述伪沟道孔的底部形成支撑层，所述伪沟道孔中除所述支撑层之外的区域构成接触孔，各所述接触孔分别贯穿一层所述牺牲层；

将所述牺牲层置换为控制栅结构，以及在所述接触孔中形成导电通道，以使所述控制栅结构与所述导电通道电连接。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述伪沟道孔的步骤之前，所述制作方法还包括以下步骤：

形成覆盖所述堆叠体的层间介质层；

在形成所述伪沟道孔的步骤中，顺序刻蚀所述层间介质层和所述台阶结构，以形成连通至所述衬底的所述伪沟道孔。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述伪沟道孔的步骤包括：

顺序刻蚀所述层间介质层和所述台阶结构，以形成贯穿至所述衬底的预备孔道；

沿所述预备孔道的侧壁进行横向刻蚀，以形成所述伪沟道孔，所述牺牲层中具有突出于所述伪沟道孔的侧壁设置的裸露端部。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在各所述伪沟道孔的底部形成所述支撑层的步骤包括：

在所述伪沟道孔中沉积绝缘材料，以包裹所述裸露端部；

刻蚀所述绝缘材料，以形成所述接触孔，剩余的所述绝缘材料构成所述支撑层，所述支撑层的远离所述衬底一侧的表面为所述接触孔的底面。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成覆盖所述堆叠体的所述层间介质层的步骤之前，所述制作方法还包括以下步骤：

在各所述第一台阶面上一一对应覆盖刻蚀阻挡层，

在形成所述伪沟道孔的步骤中，顺序刻蚀所述层间介质层、所述刻蚀阻挡层和所述台阶结构，以形成连通至所述衬底的所述伪沟道孔。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述将所述牺牲层置换为控制栅结构，以及在所述接触孔中形成导电通道，包括：

在所述接触孔中填充第一导电材料，以形成所述导电通道，所述第一导电材料中的部分沿远离所述衬底的方向穿过一层所述牺牲层设置；

在所述堆叠体中形成贯穿至所述衬底的栅缝隙，以使所述牺牲层具有位于所述栅缝隙中的裸露端面；

沿所述裸露端面刻蚀去除所述牺牲层；

在牺牲层被去除的区域中填充第一栅极材料，以使所述第一栅极材料与所述导电通道接触。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述将所述牺牲层置换为控制栅结构，包括：

在所述接触孔中填充牺牲材料，以使所述牺牲材料沿远离所述衬底的方向穿过一层所述牺牲层设置；

在所述堆叠体中形成贯穿至所述衬底的栅缝隙，以使所述牺牲层具有位于所述栅缝隙中的裸露端面；

沿所述裸露端面刻蚀去除所述牺牲层，以形成第一通道；

在所述第一通道的侧壁上形成高k介质层；

在所述第一通道中填充第二栅极材料，以使所述高k介质层包裹所述第二栅极材料。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述接触孔中形成导电通道，包括：

去除所述牺牲材料，以使部分所述高k介质层裸露；

去除裸露的部分所述高k介质层；

在所述牺牲层和所述高k介质层被去除的区域中填充第二导电材料，所述第二导电材料与所述第二栅极材料接触，以形成所述导电通道。