[发明专利]低压差线性稳压电路、芯片以及终端设备在审
申请号: | 202210552393.1 | 申请日: | 2022-05-20 |
公开(公告)号: | CN114840048A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 汪涛;吕佩师;高秋英;陈光胜 | 申请(专利权)人: | 上海东软载波微电子有限公司;青岛海尔洗衣机有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张英英 |
地址: | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 线性 稳压 电路 芯片 以及 终端设备 | ||
本发明公开了一种低压差线性稳压电路、芯片以及终端设备,所述低压差线性稳压电路包括:基准电压生成单元,用于生成基准电压,并输出至电压转换单元;电压转换单元,用于根据所述基准电压生成稳压电压,并选择性地输出所述稳压电压,所述稳压电压大于等于所述基准电压。通过本发明技术方案能够有效地缩小电路面积,降低电路的功耗。
技术领域
本发明涉及电路技术领域,尤其涉及一种低压差线性稳压电路、芯片以及终端设备。
背景技术
低压差线性稳压电路(Low Dropout Regulator,LDO)是一种通用的稳压电路,LDO能够在一定的输入电压变化范围和负载变化范围内提供稳定的输出电压,具有低压工作特性良好、精准度高的特点。
传统的低压差线性稳压电路通常为独立的电路结构,需要与外围独立的电路共同实现目标功能。
但是,设置多个独立的电路将占用过多的面积,同时也因为元器件的增多使电路的功耗增大,增加电路的设计难度。
发明内容
本发明解决的技术问题是如何设计低压差线性稳压电路结构,以降低电路的面积占用与功耗。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种低压差线性稳压电路。所述低压差线性稳压电路包括:基准电压生成单元,用于生成基准电压,并输出至电压转换单元;电压转换单元,用于根据所述基准电压生成稳压电压,并选择性地输出所述稳压电压,所述稳压电压大于等于所述基准电压。
可选地,所述电压转换单元包括:阻抗子单元,所述阻抗子单元的第一端接入所述基准电压;开关子单元,所述开关子单元的第一端耦接所述阻抗子单元的第二端,所述开关子单元的第二端输出所述稳压电压。
可选地,所述阻抗子单元为可变电阻。
可选地,所述开关子单元包括MOS管或单刀单掷开关,所述MOS管的栅极接入低功耗模式控制信号。
可选地,在低功耗模式控制信号的控制下,所述电压转换单元输出所述稳压电压。
可选地,所述基准电压为带隙基准电压。
可选地,所述基准电压生成单元包括第一三极管、第二三极管和第一电阻;所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极接地,所述第二三极管的发射极耦接所述第一电阻的第一端,所述第一三极管的发射极电压与所述第一电阻的第二端电压相同,所述第二三极管的集电极面积与所述第一三极管集电极面积的倍数为N,N为正数。
可选地,所述稳压电压计算公式如下:VLDO=VBG+IR1×(n×R),其中,VLDO表示所述稳压电压,VBG表示所述基准电压,n表示电流系数,R表示阻抗子单元的电阻值,IR1表示经过所述第一电阻的电流值,VT表示热电压,R1表示所述第一电阻的电阻值。
本发明实施例还公开一种芯片,包括所述低压差线性稳压电路。
本发明实施例还公开一种终端设备,包括所述低压差线性稳压电路。
与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:
本发明提出一种低压差线性稳压电路,通过基准电压生成单元生成基准电压,并输出基准电压。电压转换单元的第一端与基准电压耦接,可以使电压转换单元根据基准电压生成稳压电压,实现对外围电路的供电。同时,将基准电压生成单元与电压转换单元集成于一个电路,可以有效地缩小电路面积,降低电路的功耗,使电路的设计难度进一步减小。
进一步地,通过调整阻抗子单元的阻抗大小,可以控制稳压电压的大小,以得到符合预期电压值的稳压电压。并且在低功耗模式控制信号的控制下,开关子单元可以选择性地导通,以输出稳压电压。当开关子单元未导通时,本电路仍能实现输出基准电压的功能。
附图说明
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